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半导体物理学期末复习试题及答案一 半导体物理学期末复习试题及答案一 半导体物理学期末复习试题及答案一 一、 选择题 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要 的能量（ B）。 A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2. 受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质 电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供 （ A ）。 A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 对于一定的 N 型半导体材料，在温度一定时，减小掺 杂浓度，费米能级会（ B ）。 A. 上移 B. 下移 C. 不变 在热平衡状态时， P 型半导体中的电子浓度和空穴浓度 的乘积为常数，它和（ B ）有关 A. 杂质浓度和温度 B. 温度和禁带宽度 C. 杂质浓度和禁带宽度 D. 杂质类型和温度 MIS结构发生多子积累时， 表面的导电类型与体材料的 类型（ B ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 6. 空穴是( B ) 。 A. 带正电的质量为正的粒子 B. 带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D. 带负电的质量为负的准粒子 7. 砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 1 A. 直接 B. 间接 8. 将 Si 掺杂入 GaAs中，若 Si 取代 Ga则起（ A ） 杂质作用，若 Si 取代 As 则起（ B ）杂质作