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半导体材料霍尔效应 半导体材料霍尔效应 半导体材料霍尔效应 实验十七 半导体材料的霍尔效应 霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（ ，1855 — 1938）于 1879 年在 研究金属的导电机构时发现的。 后来发现半导体、 导电流体等也有这种效应。 这一效应对金 属来说并不显著 , 但对半导体非常显著。利用这一效应制成的各种霍尔元件，广泛地应用于 工业自动化技术、 检测技术及信息处理等方面。 霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。 通过霍尔效应实验能测定半导体材料的霍尔系数， 从而判断样品的导电类型， 计算出载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 【预习思考题】 1．霍尔效应是如何产生的 ? 2．霍尔元件的材料如何选取 ? 【实验目的】 １．了解霍尔效应实验原理及霍尔元件有关参数的含义和作用； ２．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，并测绘样品的 VH I S和VH IM 曲线； ３．会确定样品的导电类型、载流子浓度及迁移率。 【实验仪器】 ＴＨ－Ｈ型霍尔效应实验组合仪。 【实验原理】 Y A l C X EH v FE Z F e b I S B A C A d C I S FE v ＋ V － e EH FB mA A C a b 图 1 霍尔效应实验原理示意图 a)载流子为电子（ N 型） b）载流子为空穴（ P 型） 1．霍尔效应 霍尔效应从本