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PAGE PAGE 1 LED外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法与流程 led外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法1.技术领域2.本创造涉及半导体照明领域，特殊涉及一种led外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法。背景技术：3.由于发光二极管具有节能环保，可灵活设计，长寿命等优势，近年来得到快速进展。 尤其是iii?v族氮化物的半导体led技术在蓝光领域的成功，挺直推动了led照明进入千 家万户。目前主流gan基发光二极管芯片结构为：图形化蓝宝石衬底，aln成核层，缓冲层，非掺杂gan层，掺si的n型gan层，多量子阱发光层，电子阻挡层，掺mg的p型gan层。为了便于打线外接正向电压使器件发光，通常在n，p型层表面形成欧姆接触。低的欧姆接触电阻需要更低的肖特基势垒高度或是半导体材料重掺杂来实现，或是两者相结合。因n型gan功函数较小，制作n型gan的欧姆接触相对简洁，而制作低阻的p?gan欧姆接触比较困难。目前主流的p型接触层制作方法主要为生长重掺杂的p型alingan层，但单纯的重掺杂的p型alingan层对实现较好的欧姆接触并不抱负，同时mg，in等都是吸光材料，影响器件的发光效率。总之，要实现良好的欧姆接触，就得在发光亮度上作出牺牲，很难做到电压与亮度兼得。4.公开号为cn10