EEPROM编程周期控制电路的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 EEPROM编程周期把握电路的制作方法 本创造属于eeprom把握系统领域，具体说是一种微电流源供应的计时电路系统。背景技术：目前数字存储技术主要分成三种：磁式、光电式和半导体式。半导体存储技术基本上又分为挥发性(volatile)与非挥发性(non-volatile)两种，挥发性存储器技术较为成熟，也是目前半导体存储技术的主流，包括dram和sram等；非挥发性存储器技术包括过去的掩膜rom、eprom、eeprom、flash(快闪)、以及新兴的fram(铁电存储器)、mram(磁性存储器)与oum(相变存储器)等。非挥发性、存取速度快、成本低、制作过程简洁、数据存储密度高、耗电量低和可无限次数擦写等特性，是将来存储器技术所必需具备的要点。eeprom单元编程和擦除需要ms量级的时间周期，现有的技术是通过时基电路和分频电路(计时电路)组成，时基电路产生时钟信号，分频电路对时钟信号进行分频完成计时，当需要计时周期越长，就需要越大的电容、越大的电阻和越多的分频器。若实现ms级计时，整个功能约需要晶体管500余个，片内电容约6pf，电阻50kω。现有技术尽管能实现对擦除、编程时间的精准把握,但所需资源格外多，编程所需时间越多，所需资源就越多。技术实现要素：本创造供应一种结构简洁的计时电路，在供应ms级计时的前提下，