efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路的制作方法 本创造涉及集成电路设计领域，特殊是涉及一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路。背景技术：efuse属于一次性可编程存储器(otp)，基于电子迁移(em)原理，通过熔断熔丝的方式实现编程功能。efuse内部读模块把熔丝电阻值转换为对应的规律值，其工作原理是通过比较电路将熔断发生前后的熔丝电阻和参考电阻进行对比而产生不同电平。为确保比较结果的牢靠性，常规efuse设计都期望在编程操作时熔丝能发生熔断现象，以得到较大的电阻值。因此，常规efuse单元都包含一个较大w/l尺寸的把握管，以便能通过较大的熔断电流，这挺直导致efuse面积较大和整体功耗较大。常规efuse单元基于电迁移原理，通过对熔断熔丝的方式，实现编程操作。由于编程所需的熔断电流较大，常规efuse需要接受较高的编程电压；而在读取操作时，系统接受较低的电压以削减功耗。因此，常规efuse接受双电源(vdd、vddq)结构，1所示，图1显示为常规efuse结构的电路示意图，系统在编程操作时，编程电流从vddq、经过p1、link和n1管到地，实现对efuse的编程。系统在读操作时，读电流从vdd、sa、经过link和n1管到地，和efuse熔丝