PTC材料的制备方法及PTC材料与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 PTC材料的制备方法及PTC材料与流程 ptc材料的制备方法及ptc材料技术领域1.本创造涉及采暖建材技术领域，尤其涉及一种ptc材料的制备方法及ptc材料。背景技术：2.目前最为频繁的采暖用ptc（positive temperature coefficient，正的温度系数，泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件）材料通常为石墨烯碳浆，其电阻率随温度上升而增大的原理为导电碳粉通过成膜材料的热胀冷缩实现联通或断开，但成膜材料为有机材料，频繁地形变会导致疲惫，因此存在用法寿命短和电学性质不稳定的问题。钛酸钡的居里点为130℃，在温度高于130℃后电阻率会随温度上升而快速增大，也因此无法在采暖中应用。频繁的钛酸钡半导体陶瓷均为烧结成形工艺，形成的发热层为不行弯折的硬壳，应用范围有限，并且在厚度较薄时易裂开。技术实现要素：3.本创造实施例供应一种ptc材料的制备方法及ptc材料以解决现有技术中消灭的一个或者多个技术问题。4.第一方面，本创造实施例供应了一种ptc材料的制备方法，包括：获得包含钛酸钡及第一掺杂元素、其次掺杂元素的第一混合物粉体；其中，第一掺杂元素的质量分数为钛酸钡质量分数的0.1‰~10‰，所述其次掺杂元素的质量分数不大于钛酸钡质量分数的20%；将获得的第一混合物粉体在还原环境中烧结；将烧结的混合物粉碎成其次混合物粉体，并均匀分散至成膜剂溶液中；将含有成膜剂的混合液刷涂在基材上烘干，以获得ptc材料。5.一种较佳实施方式中，所述获得包含钛酸钡及第一掺杂元素、其次掺杂元素的第一混合物粉体的方法包括研磨、沉淀和气相沉积中的一种或多种方法；所述将获得的第一混合物粉体在还原环境中烧结的步骤中，所述烧结温度包括800℃~1500℃，所述烧结的时间包括10h~24h。6.一种较佳实施方式中，在所述将烧结的混合物粉碎成其次混合物粉体，并均匀分散至成膜剂溶液中的步骤中，所述其次混合物粉体与所述成膜剂的质量分数比包括30%~60%。7.一种较佳实施方式中，所述成膜剂为液态有机高分子化合物或高分子化合物的水溶液。8.一种较佳实施方式中，所述烘干的温度为80℃~170℃。9.一种较佳实施方式中，所述第一混合物粉体和其次混合物粉体的粒径小于10微米。10.其次方面，本创造实施例供应了一种ptc材料，包括：钛酸钡；第一掺杂元素，所述第一掺杂元素的质量分数为钛酸钡质量分数的0.1‰~10‰，所述第一掺杂元素包括用于转变所述ptc材料的常温电阻率的金属元素；其次掺杂元素，所述其次掺杂元素的质量分数不大于钛酸钡质量分数的20%，其次掺杂元素包括用于转变所述ptc材料的居里点的金属元素，且居里点变幻量与其次掺杂元素的质量分数成正比。11.一种较佳实施方式中，所述第一掺杂元素包括钇、锑、镧、铌、钽中的一种或多种。12.一种较佳实施方式中，所述其次掺杂元素包括铅、锶、锆、锡中的一种或多种。13.一种较佳实施方式中，所述钛酸钡、第一掺杂元素的化合物和其次掺杂元素的化合物的粒径小于10微米。14.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：1、本创造ptc材料电阻率变幻明显，当温度上升到肯定数值后电阻快速增大，实现断电，防止温度持续上升，发生危急。15.2、本创造ptc材料不依靠有机成膜材料的结构变幻实现电阻率变幻，大幅提高发热材料的用法寿命。16.3、本创造ptc材料成膜剂为水溶性，生产加工过程中污染小。17.上述概述仅仅是为了解释书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的具体描述，本创造进一步的方面、实施方式和特征将会是简洁明白的。附图解释18.在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标志表示相同或相像的部件或元素。这些附图不肯定是依据比例绘制的。应当理解，这些附图仅描绘了依据本创造公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本创造范围的限制。19.图1示出依据本创造实施例ptc材料制备方法的流程图；图2示出依据本创造实施例ptc材料的电阻率第一种变幻曲线；图3示出依据本创造实施例ptc材料的电阻率其次种变幻曲线；图4示出依据本创造实施例ptc材料的电阻率第三种变幻曲线；图5示出依据本创造实施例ptc材料的电阻率第四种变幻曲线；图6示出依据本创造实施例ptc材料的电阻率第五种变幻曲线。具体实施方式20.在下文中，仅简洁地描述了某些示例性实施例。正如本事域技术人员可生疏到的那样，在不脱离本创造的精神或范围的状况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。21.图1示出依据本创造实施例ptc材料的电阻率第一种变