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沈阳工程学院毕业设计（论文）
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摘 要
氧化锌（ZnO）是一种II-VI族直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度（Eg）为3.37eV，室温下激子束缚能较高，为60meV，这使得ZnO在紫外半导体光电器件上具有广阔的应用前景，其中包括紫外发光二极管、激光二极管、薄膜晶体管、紫外探测器、气体传感器等。众所周知，本征的ZnO半导体材料呈 n型导电性质，要想实现 ZnO在发光器件领域的实际应用，就要制备稳定性高、可重复的p型ZnO材料。本文主要研究了采用不同的蒸发温度和不同C含量的掺杂条件下ZnO薄膜在Si衬底上生长的优劣，采用简单的化学气相沉积（CVD）方法在不同蒸发温度下在Si
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