(第六章)刻蚀全解PPT课件.ppt

第六章 刻蚀;6.1 引 言;刻蚀的工艺目的: 把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后主要图形转移工艺。 刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀：把要刻蚀的硅片放在具有反应气体的等离子体真空腔中去除表面层材料的工艺过程。亚微米 湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除表面层材料的工艺过程。大于3微米 按被刻蚀的材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀 有图形刻蚀和无图形刻蚀;6.2 刻蚀参数;1. 刻蚀速率 刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度。 刻蚀速率＝ΔT / t （?/min) 其中，ΔT=去掉的材料厚度（ ? 或 μm） t=刻蚀所用时间（min） ;2. 刻蚀剖面 刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状 两种基本的刻蚀剖面: 各向同性和各向异性刻蚀剖面;湿法刻蚀和干法刻蚀的侧壁剖面;3. 刻蚀偏差 刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸的变化 刻蚀偏差＝Wa－Wb;4. 选择比 选择比：指在同一刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另 一种材料的刻蚀速率之比。 高选择比: 意味着只刻除想要刻去的膜层材料，而 对其下层材料和光刻胶不刻蚀。 SiO2对光刻胶的选择比＝（ΔTsio2/t1）/（ΔT胶/t1） ＝ ΔTsio2/ΔT胶 ;;5. 均匀性 刻蚀均匀性是指刻蚀速率在整个硅片或整批硅片上的一致性情况。非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。 ARDE效应-微负载效应：Aspect Ratio Dependence Etching ;6. 残留物 刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。 残留物的去除：湿法去胶时去除 7. 聚合物 聚合物的形成有时是有意的，是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀，这样能形成高的各向异性图形，增强刻蚀的方向性，从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 ;聚合物（Polymer）的形成;聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳并与刻蚀气体和刻蚀生成物结合在一起而形成的；能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。 聚合物的缺点：聚合物在刻蚀结束后难以去除；在反应室的任何地方都有聚合物，影响纵向的刻蚀速率，增加反应室的清洗工作。;8. 等离子体诱导损伤 等离子体诱导损伤有两种情况： 1）等离子体在MOS晶体管栅电极产生陷阱电荷引起薄栅氧化硅的击穿。 2）带能量的离子对暴露的栅氧化层或双极结表面上的氧化层进行轰击，使器件性能退化。 9. 颗粒沾污 颗粒沾污和缺陷由等离子体产生，是刻蚀中经常 遇到的问题，应尽量减少。;列举刻蚀的9个重要参数？ 思考：残留物和颗粒沾污的区别？;6.3 干法刻蚀; 干法刻蚀的缺点（与湿法腐蚀比） 1. 对下层材料的刻蚀选择比较差 2. 等离子体诱导损伤 3. 设备昂贵; 干法刻蚀过程 1. 刻蚀气体进入反应腔 2. RF电场使反应气体分解电离 3. 高能电子、离子、原子、自由基等结合产生等离子体 4. 反应正离子轰击表面－各向异性刻蚀（物理刻蚀） 5. 反应正离子吸附表面 6. 反应元素（自由基和反应原子团）和表面膜的表面反应－各向同性刻蚀（化学刻蚀） 7. 副产物解吸附 8. 副产物去除 ;干法刻蚀过程;刻蚀作用 ;等离子体的电势分布 ①当刻蚀机电极加上射频功率后，反应气体电离形成辉光放电的等离子体； ②在正负半周的射频电压作用下，快速运动的电子离开等离子体轰击上下电极，使接电源的电极产生一个相对地为负的自偏置直流电压； ③达到一定的负电荷数量后电子会被电极排斥，产生一个带正离子电荷的暗区（即离子壳层）； ④等离子体相对于接地电极产生正电势电位。电源电极自偏置电压的大小取决于RF电压的幅度、频率和上下电极面积的比值。 ;等离子体的电势分布;改变等离子体刻蚀参数的影响;6.4 干法刻蚀系统及其刻蚀机理;1. 圆桶式等离子体刻蚀机 圆桶式反应器结构，刻蚀系统的射频电场平行与硅片表面，不存在反应离子轰击，只有化学作用。用于氧等离子体的去胶工艺。;圆桶式等离子体刻蚀机理 ①进入真空反应室的刻蚀气体在射频电场的作用下分解电离形成等离子体，等离子体由高能电子、反应正离子、自由基、反应原子或原子团组成。 ②自由基和反应原子或原子团的化学性质非常活泼，它们构成了等离子体的反应元