第八章光刻与刻蚀工艺.pptxVIP

集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺;主要内容;第八章 光刻与刻蚀工艺;第八章 光刻与刻蚀工艺;第八章 光刻与刻蚀工艺;掩模版;Clean Room净化间;光刻工艺的根本步骤 ? 涂胶 Photoresist coating ? 曝光 Exposure ? 显影 Development;1)清洗硅片 Wafer Clean;5、对准 Alignment;9、坚膜 Hard Bake;光刻1－清洗;光刻3－涂胶 Spin Coating;光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系;光刻4－前烘Soft Bake;5-6、对准与曝光 Alignment and Exposure;;光学曝光、X射线曝光、电子束曝光 ①光学曝光－紫外，深紫外 高压汞灯：紫外(UV〕，300－450nm； i线365nm，h线405nm，g线436nm。 准分子激光：KrF：λ= 248nm； ArF：λ= 193nm； F2激光器： λ= 157nm。;电子束曝光：λ＝几十---100?； 优点：分辨率高；不需光刻版〔直写式〕； 缺点：产量低〔适于制备光刻版〕； X射线曝光：λ＝2---40? ，软X射线； X射线曝光的特点：分辨率高，产量大。 极短紫外光〔EUV〕：λ＝10—14nm;光刻7－曝光后烘焙〔后烘，PEB〕;光刻8－显影(Development);显影液：专用 正胶显影液：含水的碱性显影液，如KOH、 TMAH (四甲基氢氧化胺水溶液)，等。 负胶显影液：有机溶剂，如丙酮、甲苯等。 例，KPR〔负胶〕的显影液：丁酮－最理想； 甲苯－图形清晰度稍差； 三氯乙烯－毒性大。;影响显影效果的主要因素： ⅰ〕曝光时间； ⅱ〕前烘的温度与时间； ⅲ〕胶膜的厚度； ⅳ〕显影液的浓度； ⅴ〕显影液的温度； 显影时间适当 t太短：可能留下光刻胶薄层→阻挡腐蚀SiO2(金属〕 →氧化层“小岛〞。 t太长：光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶 →图形边缘破坏。;正常显影;光刻9－坚膜〔Hard Bake〕;光刻10－图形检测〔Pattern Inspection〕;分辨率;表1 影响光刻工艺效果的一些参数;2.衍射对R的限制 设一任意粒子〔光子、电子〕，根据不确定关系，有 ΔLΔp≥h 粒子束动量的最大变化为Δp=2p，相应地 假设ΔL为线宽，即为最细线宽，那么 最高分辨率; ① 对光子：p=h/λ，故 。 物理含义：光的衍射限制了线宽≥ λ/2。 最高分辨率限制： ②对??子、离子：具有波粒二象性〔德布罗意波〕，那么 ， 最细线宽： a. E给定：m↑→ΔL↓→R↑，即R离子 R电子 b. m给定：E↑→ΔL↓→R↑;3.光衍射影响分辨率;1〕数值孔径NA 〔Numerical Aperture〕;提高NA – 更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际 – 减小DOF〔焦深〕，会引起制造困难 减小光波长λ – 开发新光源, PR和设备 – 波长减小的极限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray 减小K1 – 相移掩膜〔Phase shift mask〕;光刻胶-Photoresist(PR);负胶Negative hotoresists：;正胶〔重氮萘醌〕的光分解机理;负胶〔聚乙烯醇肉桂酸脂〕的光聚合机理;1)聚合物材料;3)溶剂;完成所需图形的最小曝光量； 表征：S=n/E， E-曝光量〔lx·s，勒克斯·秒〕；n-比例系数； 光敏度S是光刻胶对光的敏感程度的表征； 正胶的S大于负胶;1〕紫外-汞灯;未来技术趋势;接触式曝光;硅片与光刻版保持5－50μm间距。 优点：光刻版寿命长。 缺点：光衍射效应严重— 分辨率低 〔线宽3μm〕。 ;利用光学系统，将光刻版的图形 投影在硅片上。;分步重复投影光刻机--Stepper;掩模版〔光刻版〕Mask;PSM：Phase-Shift Mask 作用：消除干预， 提高分辨率； 原理：在Mask的透明图形上增加一个透明的介质层-移相器，使光通过后产生1800的相位差。;根本概念;1〕栅掩膜对准 Gate Mask Alignment;5〕刻蚀