磁控溅射法制备薄膜材料实验报告.pdfVIP

实验一 磁控溅射法制备薄膜材料 一、实验目的 1 、详细掌握磁控溅射制备薄膜的原理和实验程序； 2 、制备出一种金属膜，如金属铜膜； 3 、测量制备金属膜的电学性能和光学性能； 4 、掌握实验数据处理和分析方法， 并能利用 Origin 绘图软件对实验数据进 行处理和分析。 精品文档，超值下载 二、实验仪器 磁控溅射镀膜机一套、万用电表一架、紫外可见分光光度计一台；玻璃基 片、金属铜靶、氩气等实验耗材。 三、实验原理 1、磁控溅射镀膜原理 （1）辉光放电 溅射是建立在气体辉光放电的基础上，辉光放电是只在真空度约为几帕的稀 薄气体中， 两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。 辉光放电时， 两 个电极间的电压和电流关系关系不能用简单的欧姆定律来描述，以气压为 1.33Pa 的 Ne 为例，其关系如图 5 -1 所示。 图 5-1 气体直流辉光放电的形成 当两个电极加上一个直流电压后，由于宇宙射线产生的游离离子和电子有 限，开始时只有很小的溅射电流。 随着电压的升高， 带电离子和电子获得足够能 量，与中性气体分子碰撞产生电离， 使电流逐步提高， 但是电压受到电源的高输 出阻抗限制而为一常数，该区域称为“汤姆森放电”区。一旦产生了足够多的离 子和电子后，放电达到自持，气体开始起辉，出现电压降低。进一步增加电源功 率，电压维持不变，电流平稳增加，该区称为“正常辉光放电”区。当离子轰击 覆盖了整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提 高放电区内的电压和电 流密度，形成均匀稳定的“异常辉光放电” ，这个放电区就是通常使用的溅射区 域。随后继续增加电压， 当电流密度增加到～ 0.1A/cm 2 时， 电压开始急剧降低， 出现低电压大电流的弧光放电，这在溅射中应力求避免。 （2）溅射 通常溅射所用的工作气体是纯氩， 辉光放电时， 电子在电场的作用下加速飞 向基片的过程中与氩原子发生碰撞， 电离出大量的氩离子和电子， 电子飞向基片。 氩离子在电场的作用下加速轰击靶材， 溅射出大量的靶材原子， 这些被溅射出来 的原子具有一定的动能， 并会沿着一定的方向射向衬底， 从而被吸附在衬底上沉 积成膜。这就是简单的“二级直流溅射” 。 （3）磁控溅射 通常的溅射方法，溅射沉积效率不高。为了提高溅射效率，经常采用磁控 溅射的方法。 磁控溅射的目的是增加气体的离化效率， 其基本原理是在靶面上建 立垂直与电场的一个环形封闭磁场， 将电子约束在靶材表面附近， 延长其在等离 子体中的运动轨迹， 提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率， 从而显著提高 溅射效率和沉积速率， 同时也大大提高靶材的利用率。 其基本原理示意见图 5-2 。 图 5-2 磁控溅射镀膜原理 磁控溅射能极大地提高薄膜的沉积速度， 改善薄膜的性能。 这是由于在磁控 溅射时气体压力减小了， 使薄膜中嵌入的气体杂质减少， 薄膜表面气孔减少而密 实，膜面均匀一致。 磁控溅射可以分为直流磁控溅射和射频磁控溅射， 射频磁控溅射中， 射频电 源的频率通常在 5 ～ 30MHz。溅射过程中还可以同时通入少量活性气体（如氧 气），使它和靶材原子在基片上形成化合物薄膜 （氧化物薄膜），这就是反应溅 射。 2、溅射装备 以平面溅射方式为例，如图