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开关稳压电 源 E 题)
纲要
本系统以 Boost 升压斩波电路为中心,以 MSP430 单片机为主控制器和
PWM 信号发生器,依据反应信号对 PWM 信号做出调整,进行靠谱的闭环控
制,进而实现稳压输出。系统输出直流电压 30V~ 36V 可调,能够经过键盘设
定和步进调整,最大输出电流达到 2A ,电压调整率和负载调整率低, DC-DC
变换器的效率达到 93.97%。能对输入电压、输出电压和输出电流进行丈量和显示。
系统特点: 1)输出电压反应采纳“同步采样”方式,能有效防止电压尖峰
对信号检测的影响。 2)采纳多种有效举措降低系统的电磁扰乱 EMI ),加强
电磁兼容性 EMC )。 3)拥有完美、靠谱的保护功能,如:过流保护、反接保
护、 欠压保护、过温保护、防开机“浪涌”电流保护等,保证了系统的靠谱
性。
方案论证
1.1 DC-DC主回路拓扑
方案一 间接直流变流电路:构造如图 1-1 所示,能够实现输出端与输入端
的隔绝,适合于输入电压与输出电压之比远小于或远大于 1 的情况,但因为采纳多次变换,电路中的消耗较大,效率较低,并且构造较为复杂。
图 1-1 间接直流变流电路
方案二 Boost 升压斩波电路:拓扑构造如图 1-2 所示。开关的开通和关断受外面 PWM信号控制,电感 L 将交替地储存和开释能量,电感 L 储能后使电压泵升,而电容 C 可将输出电压保持住,输出电压与输入电压的关系为 UO=(ton+toff ,经过改变 PWM控制信号的占空比能够相应实现输出电压的变化。该电路采纳直接直流变流的方式实现升压,电路构造较为简单,消耗较
小,效率较高。
L
VD
E C UO RL
图 1-2 Boost 升压斩波电路拓扑构造
综合比较,我们选择方案二。
1.2 控制方法及实现方案
方案一 利用 PWM专用芯片产生 PWM控制信号。此法较易实现,工作较稳固,但不易实现输出电压的键盘设定和步进调整。
方案二利用单片机产生 PWM控制信号。让单片机依据反应信号对 PWM信号
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做出相应调整以实现稳压输出。这类方案实现起来较为灵巧,能够经过调试针对自己系统做出配套的优化。可是系统调试比较复杂。
在这里我们选择方案二。
系统整体框图
隔 离
AC AC
变 压 器
整 流
DC
Boost
滤 波
升压电路
输 出
DC DC 负载滤 波
键 盘
保护电路
MCU
主控制器
显示电路
图 1-3 系统整体框图
1.4 提升效率的方法及实现方案
1) Boost 升压斩波电路中开关管的选用 :电力晶体管 GTR)耐压高、工作频次较低、开关消耗大;电力场效应管 Power MOSFET)开关消耗小、工作频次较高。从工作频次和降低消耗的角度考虑,选择电力场效应管作为开关管。
2) 选择适合的开关工作频次 :为降低开关消耗,应尽量降低工作频次;为防止产生噪声,工作频次不该在音频内。综合考虑后,我们把开关频次设定为20kHz。
3) Boost 升压电路中二极管的选用 :开关电源关于二极管的开关速度要求较高,可从迅速恢复二极管和肖特基二极管中加以选择。与迅速恢复二极管对比,肖特基二极管拥有正向压降很小、恢复时间更短的长处,但反向耐压较
低,多用于低压场合。考虑到降低消耗和低压应用的实质,选择肖特基二极管。
4) 控制电路及保护电路的举措 :控制电路采纳超低功耗单片机 MSP430,其工作电流仅 280μA;显示采纳低功耗 LCD;控制及保护电路的电源采纳了降低功耗的方式,详细实现见附录图 2,单片机由低功耗稳压芯片 HT7133 独自供电。
电路设计与参数计算
2.1 Boost 升压电路器件的选择及参数计算
Boost 升压电路包含驱动电路和 Boost 升压基本电路,如图 2-1 所示。
图 2-1 Boost 升压电路
(aPWM 驱动电路 b) Boost 升压基本电路
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2.1.1 开关场效应管的选择
77mΩ V =10V,
选择导通电阻小的 IRF540 作为开关管,其导通电阻仅为
GS
I D=17A)。 IRF540 击穿电压 VDSS 为 55V ,漏极电流最大值为
28AV =10 V,
GS
25°C),同意最大管耗 PCM可达 50W,完好知足电路要求。
PWM 驱动电路器件的选择
单片机 I/O 口输出电压较低、驱动能力不强,我们使用专用驱动芯片IR2302。其导通上涨时间和关断降落时间分别为 130 ns 和 50 ns ,能够实现电力场效应管的高速开通和关断。 IR2302 还拥有欠压保护功能。
肖特基二极管的选择
选择 ESAD85M-009型肖特基二极管,其导通压降小,经过 1 A 电流时仅为
0.35V ,并且恢复时间短。实质使用时
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