装置结构的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 装置结构的制作方法 1.本发明实施例涉及半导体装置，尤其涉及低电阻衔接物通孔结构。背景技术：2.背侧内连线结构可用于提供高密度线路并有利于封装。多栅极装置、多栅极金属氧化物半导体场效晶体管或多栅极场效晶体管可视作结合多个栅极至单一装置的金属氧化物半导体场效晶体管。多栅极可由单一栅极(其中多个栅极表面电性作用如单一栅极)或自立栅极所控制。采纳自立栅极的多栅极装置，有时可称作多自立栅极场效晶体管。最频繁的多栅极装置为鳍状场效晶体管与全绕式栅极场效晶体管，其为非平面晶体管或三维晶体管。采纳全绕式栅极结构有助于增强装置密度。技术实现要素：3.本发明实施例的目的在于提供一种装置结构，以解决上述起码一个问题。4.本发明一实施例提供的装置结构，包括：半导体纳米结构，位于背侧绝缘基质层的前侧表面上，并包含：起码一半导体通道板；栅极结构；以及第一主动区与其次主动区，位于起码一半导体通道板的末端部分并含有源极区与漏极区；外延半导体材料部分，与半导体纳米结构横向分开并位于背侧绝缘基质层上；层状堆叠，由下至上包括平坦化介电层与通孔层介电层，并位于半导体纳米结构与外延半导体材料部分上；背侧金属内连线结构，位于背侧绝缘基质层的下表面上；以及导电路径，衔接第一主动区与背侧金属内连线结构并含有衔接物通孔结构以接触外延半导体材料部分的侧壁，其上表