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生产计划部 MOS晶体管结构和工作原理 * 生产计划部 MOS 晶体管结构和工作原理 MOS 晶体管结构 结构图 MOS晶体管种类 MOS晶体管符号 MOS晶体管工作原理 MOSFET 特性 MOS IV CURVE MOS 衬底偏置效应 MOS热载流子效应 MOS 晶体管结构 结构图 Vg Vs Vd FOX N+ N+ L W 栅（G） 源（S） 漏（D） Vb P 衬底（B） FOX MOS 晶体管结构 平面图 TO POLY W1 MOS 晶体管结构 在正常工作条件下，栅电压Vg产生的电场控制着源漏间沟道区内载流子的运动。由于器件的电流由器件内部的电场控制 ----------- MOS 场效应晶体管（MOSFET） 栅极与其它电极之间是绝缘的 ----------- 绝缘栅场效应晶体管 （IGFET） MOS 晶体管结构 MOS晶体管种类 按沟道区中载流子类型分 N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N+，沟道中 载流子为电子 P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P+，沟道中 载流