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. 干法腐蚀工艺培训讲义 目 录 第一章 基本概念 第二章 干法腐蚀基本原理 第三章 常用材料的等离子体腐蚀原理与工艺 第四章 在线干法腐蚀设备结构 /原理简介 第五章 干法腐蚀工艺中的终点检测 第六章 干法去胶 第七章 在线腐蚀工艺中常见异常及处理方法 第一章 基本概念 . . 1． WHAT IS ETCHED ？ A process for removing material in a specified area through chemical reaction and/or physical bombardment. 2. WHAT WE ETCHED? 1) Dielectric (oxide,nitride,etc.) 2) Silicide (polysilicon and silicide) 3) Silicon(single crystal silicon) 4) Metal(AL.Cu.Si) 3. WHAT IS ETCH RATE? 腐蚀速率是指所定义的膜被去除的速率，单位通常用 UM/MIN ， A/MIN 来表示。 4.E/R UNIFORMITY 表示一个圆片中不同点腐蚀速率的差别（ WITHIN A W AFER ）或两个以 上圆片片与片之间的腐蚀速率差异（ WAFER TO WAFER 。） 如 ：假 定 一 个 圆 片 片 内 测 试 了 5 个 点 ， 那 就 有 5 个 速 率 值 UNIFORMITY= （MAX ETCH RATE — MIN ETCH RATE ）/2/ （AVERAGE ETCH RATE ）*100% 5. SELECTIVITY 是指两种不同膜的腐蚀速率比。 选择比反应腐蚀过程中主要被腐蚀膜对另 一种膜的影响（光刻胶，衬底等） . . 6. ISOTROPY各向同性 腐蚀速率在纵向和横向上相同。 7．ANISOTROPY 各向异性 腐蚀速率在纵向和横向上不一样。 8．CD （CRITICAL DIMENSIONS ）关键尺寸 CD LOSS条宽损失 9．LOADING 负载效应 MICROLOADING （微负载效应） 不同的孔尺寸或纵深比例对腐蚀速率 和选择比的影响。 MACROLOADING （宏负载效应）--不同的暴露面积影响腐蚀速率差异。 10．PROFILE 剖面形貌 第二章 干法腐蚀基本原理 . . 干法腐蚀又称等离子腐蚀。根据设备腔体结构的不同，可分为：①圆 筒型等离子腐蚀②平行板等离子腐蚀③平行板反应离子腐蚀④反应离子束 腐蚀⑤离子束铣腐蚀等。本文主要介绍等离子腐蚀和反应离子腐蚀的基本 原理。 一、 等离子体腐蚀 等离子腐蚀是依靠高频辉光放电形成的化学活性游离基与被腐蚀 材料发生化学反应的一种选择性腐蚀方法。 气体中总存在微量的自由电子，在外电场的作用下，电子加速运 动。当电子获得足够的能量后与气体分子发生碰撞，使气体分子电离发出 二次