集成电路工艺 接触与互连.ppt

微电子工艺学Microelectronic Processing第七章 接触与互连;后端工艺[backend of the line technology (BEOL)]：将器件连接成特定的电路结构：金属线及介质的制作，使得金属线在电学和物理上均被介质隔离。;后端工艺越来越重要 占了工艺步骤中大部分 影响IC芯片的速度;互连的速度限制的简单估计;7.2 金属化;对IC金属化系统的主要要求 ;可能形成互连的导电材料;常用金属薄膜比较 金膜：早期的金属化材料 缺点：与Si的接触电阻很高，下部需要一个铂中间层；柔软，上部需要一层钼；优点：导电性最好。 工艺：溅射 铜膜：新一代的金属化材料，超大规模集成电路的内连线 缺点：与Si的接触电阻高，不能直接使用；铜在Si中是快扩散杂质，能使Si中毒，铜进入Si内改变器件性能；与Si、SiO2粘附性差。优点：电阻率低（只有铝的40-45%） ，导电性较好；抗电迁移性好于铝两个数量级。 工艺：溅射 铝膜: 大多数微电子器件或集成电路是采用铝膜做金属化材料 缺点：抗电迁移性差；耐腐蚀性、稳定性差 ；台阶覆盖性较差。 优点：导电性较好；与p-Si，n+-Si（5×1019 ）能形成良好的欧姆接触；光刻性好；与二氧化硅黏合性好；易键合。 工艺：蒸发，溅射 ;Properties of Interconnect Materials; 定义：零偏压附近电流密度随电压的变化率;欧姆接触;当金属与半导体之间的载流子输运以隧道穿透为主时，?c与半导体的掺杂浓度N及金－半接触的势垒高度q?b有下面的关系 q?b 在数值上等于金属费米能级上的电子进入半导体所需的能量。 结论：要获得低接触电阻的金-半接触，必须减小金-半接触的势垒高度及提高半导体的掺杂浓度 ;形成欧姆接触的方式;因为铝及铝合金具有低电阻率(铝约为2.7??·cm，铝合金最高约为3.5??·cm)，故可满足低电阻的需求，此外，铝附着于二氧化硅上的特性极佳。因此，铝及铝合金在IC金属化工艺中使用范围相当广泛，铝膜的淀积可由PVD或CVD的方式完成。 然而IC工艺中使用铝于浅结上易造成尖锲(spiking)或电迁移(electromigration)的问题．;最常用的材料是Al：采用溅射淀积?;Al/Si接触中的尖楔现象;一、结尖锲;右图中的插图为硅元素在铝中的固态溶解度。如400℃时硅在铝中的固态溶解度约为0.25％(重量比，下同)；450℃时为0.5％；500 ℃时为0.8％。因此，铝与硅接触时，硅将会溶解到铝中，其溶解量不仅与退火温度有关，也和铝的体积有关．;考虑一铝的长导线，铝与硅的接触面积为ZL，经退火时间t后，硅将沿与铝线接触的边缘扩散，长度为(Dt)1/2，假设硅在此段膜中已经达到饱和，则消耗硅的体积为（S为退火后硅在铝中的固溶度）;考虑一铝的长导线，铝与硅的接触面积为ZL=16μm2，Z=5μm，H=1μm，在T=500℃退火时间t=30min后，求被消耗的硅的厚度。计算时假设为均匀溶解。;事实上，硅并不会均匀地溶解，而是发生在某些点上．下图为在p-n结中，铝穿透到硅中的实际情形，可观察到仅有少数几个点有尖锲形成．;铝的尖楔SEM照片;减少铝尖锲的方法一种是将铝与硅共同蒸发，使铝中的硅含量到达固态溶解的要求。另一种方法是在铝与硅衬底中加入金属阻挡层(Diffusion Barrier) (如下图所示)。此层必须满足以下的要求： ①与硅形成的接触电阻要小； ②不会与铝起反应； ③淀积及形成方式必须与其他所有工艺相容。 目前，经评估发现TiN可在550℃、30min退火环境下呈现稳定状态，适合作为金属阻挡层。;铝的电迁移;电迁移引起的到平均失效时间（MTF）与电流密度J及激活能Ea间的关系大致为;7.2 金属化;阻止电迁移的方法有 与0.5～4％铜形成合金(可以降低铝原子在晶间的扩散系数。但同时电阻率会增加！)、以介质将导通封闭起来、淀积时加氧。 由于铜的抗电迁移性好，铝-铜（0.5-4%）或铝-钛（0.1-0.5%）合金结构防止电迁移，结合Al-Si合金，在实际应用中人们经常使用既含有铜又含有硅的Al-Si-Cu合金以防止合金化（即共熔）问题和电迁移问题。;铜镀膜;各种用来制作多层铜导线的技术相继被提出．第一种方法是以传统的方式去定义金属线，再进行介质淀积；第二种方法是先定义介质，然后再将金属铜填人沟槽内，随后进行化学机械抛光(将在11.4.5中讨论)以去除在介质表面多余的金属而仅保留孔或沟槽内的铜，这种方法称为嵌入工艺(damascene process)． 嵌入技术：使用铜一低介电常数介质作互连线的方法是“嵌入法”或是“双层嵌入法”(dual damascene)．对一个典型的嵌入式结