第三章晶体管的直流效应PPT课件.ppt

● —— 本章重点; 晶体管（半导体三极管）是由两个P-N结构成的三端器件。由于两个P-N结靠得很近，其具有放大电信号的能力，因此在电子电路中获得了比半导体二极管更广泛的应用。（半导体二极管由一个P-N结构成，利用P-N结的单向导电性，二极管在整流、检波等方面获得了广泛应用。）本章将在P-N结理论的基础上，讨论晶体管的基本结构、放大作用以及其他一些特性，如反向电流、击穿电压、基极电阻等。;3.1 概述 ;;C;N型锗;;;;;合金管;;;平面管; 晶体管的基区杂质分布有两种形式： ●??匀分布（如合金管），称为均匀基区晶体管。均匀基区晶体管中，载流子在基区内的传输主要靠扩散进行，故又称为扩散型晶体管。 ●基区杂质是缓变的（如平面管），称为缓变基区晶体管。这类晶体管的基区存在自建电场，载流子在基区内除了扩散运动外，还存在漂移运动，而且往往以漂移运动为主。所以又称为漂移型晶体管。;晶体管中载流子浓度分布及传输 ;VDE 发射结的接触电势差 VDC 集电结的接触电势差 由于平衡时费米能级处处相等，因而基区相对于发射区和集电区分别上移qVDE和qVDC。 ;;当晶体管作为放大运用时 发射结加正向偏压VE 集电结加反向偏压VC ;发射结势垒由原来的qVDE下降为q(VDE-VE) 集电结势垒由qVDC升高到q(VDC+VC);NPN晶体管作为放大应用时，少数载流子浓度分布示意图 ; 发射结正偏，发射区将向基区注入非平衡少子。注入的少子在基区边界积累，并向基区体内扩散。边扩散，便复合，最后形成一稳定分布，记作nB(x)。同样，基区也向发射区注入空穴，并形成一定的分布，记作pE(x)。 集电结反偏，集电结势垒区对载流子起抽取作用。当反向偏压足够高时，在基区一边，凡是能够扩散到集电结势垒区XmC的电子，都被势垒区电场拉向集电区。因此，势垒区边界X3处少子浓度下降为零；同样，在集电区一边，凡是能够扩散到XmC的空穴，也被电场拉向基区，在X4处少子浓度也下降为零，其少子浓度分布为pC(x)。 ;晶体管中的载流子传输示意图 ; 因发射结正偏，大量电子从发射区注入到基区，形成电子电流InE。如基区很薄，大部分电子都能通过扩散到达集电结边界，并被集电极收集，形成集电极电子电流InC。由于通过基区的电子是非平衡载流子，因此在基区中，电子将一边扩散，一边和基区中的空穴复合，形成体复合电流IVR。显然，体复合电流是垂直于电子电流流???方向的多数载流子电流。同时，基区也向发射区注入空穴，形成发射结的反注入空穴电流IpE。这股空穴电流在发射区内边扩散边复合，经过扩散长度LpE后基本复合消失，转换成电子电流。另外，在集电结处还有一股反向饱和电流ICB0。 ; 综上所述可知，通过发射结有两股电流，即InE和IPe，所以， 发射极电流 IE=InE+IpE 通过集电结也有两股电流InC和ICB0， 集电结电流 IC=InC+ICB0 通过基极有三股电流，即IpE、IVR和ICB0，因而 基极电流 IB=IpE+IVR-ICB0 根据电流的连续性，应有 IE=IB+IC; 对于NPN晶体管，电子电流是主要成分。 电子从发射极出发，通过发射区到达发射结，由发射结发射到基区，再由基区运到集电结边界，然后由集电结收集，流过集电区到达集电极，成为集电极电流。 电子电流在传输过程中有两次损失： ●在发射区，与从基区注入过来的空穴复合损失； ●在基区体内的复合损失。因此， InCInEIE;电流放大原理;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;直流电流放大系数;;;基区输运系数 β* ; 减小基区体内复合电流IVR是提高β*的有效途径，而减小IVR的主要措施是减薄基区宽度WB，使基区宽度远小于少子在基区的扩散长度LnB，即WB远小于LnB。 所以，在晶体管生产中，必须严格控制基区宽度，从而得到合适的电流放大系数。若基区太宽，甚至比基区少子扩散长度大得多，则晶体管相当于两个背靠背的二极管。发射结相当于一只正向偏压二极管，集电结相当于一只反向偏压二极管，互不相干。这样，晶体管就失去放大电流、电压的能力。 ;共发射极直流电流放大系数;晶体管的放大作用;晶体管具有放大能力，必须具有下面条件 ;晶体管的特性曲线;共基极输入特性曲线;; 由于发射结正向偏置，所以，IE～VBE输入