第三章-双极晶体管2PPT课件.ppt

5.晶体管开关特性 除了用作放大 器之外，晶体 管还可用作通— 断开关。 “通”和“断”两个 状态之间的转 换是通过改变 载流子的分布 来完成的。 储存时间结束，超量储存电荷完全消失，晶体管 进入临界饱和状态，集电极电流Ic=Ics，开关过 程进入下降过程。在下降过程中，IB2继续抽出空 穴，基区中电子和空穴不断复合，使基区中积累 的电荷继续减少，基区中非平衡载流子分布梯度 减少，集电极电流不断下降。当基区中储存电荷 完全消失，集电极电流降为反向漏电流，下降结 束。 下降过程中，集电结由0偏压转变为反偏压，发 射结正偏压下降。集电结、发射结势垒电容放 电，它们释放的空穴与基区储存的空穴一起，成 为基极抽出电流和基区复合电流的来源。下降过 程的连续性方程： 提高晶体管的开关特性： 与晶体管开关速度有关的因数主要是发射结、集电 结势垒电容冲放电和储存电荷的建立与消失，一是可通 过结构设计、材料选取和特定扩金工艺解决；二是通过 控制驱动电流IB1和抽出电流IB2，提高开关速度。 晶体管四个开关时间中储存时间最长，降低储存时 间即超量载流子尽快消失的有效办法是降低少子寿命和 加大抽出电流。 减少外延层电阻率和厚度：降低少子寿命、降低储存 电荷 减少发射结和集电结面积 采用浅结扩散、减薄基区 选取适当的基极电流 三．晶体管的功率特性 要求功率晶体管内部能承受较大的耗散功率并 尽可能获得较大的输出功率和较大的功率增益。 晶体管的功率特性受到电学特性和热学特性两方 面的限制。 电学特性方面的限制有： 最大集电极工作电流，击穿电压和二次击穿电压 热学方面的限制有： 最高工作结温和最大耗散功率 上述参数给出了晶 体管的安全工作区： 集电极最大电流； 二次击穿；击穿电 压；热学方面的限 制有：最高工作结 温和最大耗散功 率。 1.最大集电极电流： 晶体管工作电流过大时导致电流放大系数和截止 频率都下降，从而限制了输出功率。 晶体管大注入效应： （1）基区电导调制效应： 大注入时，注入到基区的 少子不能忽略；基区多子 浓度梯度分布与注入的少 子一样；基区电阻率显著 下降。 引起基区中多子同样程度增加，其效应相当于基 区中杂质浓度增加，从而导致发射效率降低。 为注入比 发射效率随发射极电流增加而降低的物理模型是：注入到基区的少子增加，引起基区中多子以同样程度的增加，其效应相当于基区中杂质浓度增加，从而导致发射效率降低。 （3）有效基区扩展效应（克尔克效应）： （2）大注入自建电场： 大注入对基区渡越时间的影响，对均匀基区晶体管，基区只存在大注入自建电场，载流子受到的漂移作用随注入的增加而增强，使基区渡越时间随注入增加而减少。基区渡越时间减少一半。 在电流密度大的状态下，晶体管的有效基区将扩展。 由于基区渡越时间随扩展基区宽度增大，即随集电极 电流的增大而迅速增长，使电流放大系数随电流增大而 快速下降。 电流放大系数随注入的变化由发射效率项和复合电流项共同作用决定。电流放大系数随发射效率下降而减小，随基区输运系数的增加而上升。当注入电流增大到基区输运系数的增加和发射效率下降作用相互抵消时，电流放大系数达到最大值。 在 外延平面晶体管中，从发射结注入的少数载流子，在通过集电结空间电荷区时，对耗尽层中的正负空间电荷分别起中和和添加作用，使N侧的正空间电荷减少，P区的负空间电荷增多，因此空间电荷区的边界随注入电流的变化而移动。 (4) 发射极电流集边效应 A．为了减少基区横向压降，有效降低发射极电流集中应减少基区的薄层电阻，减少发射极条宽；规定从发射结中心到边缘，基区横向压降变化 时的条宽为发射极有效条宽。 B．发射极单位周长上的电流容量 由于电流集边效应，发射极边上的电流密度将大于发 射结上的平均电流密度，由大注入产生的基区扩展效应 将首先在边界上发生。为了防止基区扩展效应，须合理 选取发射条周界上的电流容量。 (3-349) 为晶体管的最大限制电流密度 一般放大晶体管 ： 开关管 ： C．发射极有效条长 当发射极电流流过金属电极时，在金属电极上产生压降。为了防止金属条长方向上的电流集中效应，将条长方向上的压降限制 在以内。此条长