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MOS 场效应管的工作原理及特点 场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有 N 沟道器件和 P 沟道器件。有结型场效应三极管 JFET(Junction Field Effect Transister) 和绝缘栅型场效应三极管 IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。 IGFET 也称金属 -氧化物 -半导体三极管 MOSFET （Metal Oxide SemIConductor FET ）。 MOS 场效应管 有增强型（ Enhancement MOS 或 EMOS ）和耗尽型 (Depletion)MOS 或 DMOS ）两大类，每一类有 N 沟 道和 P 沟道两种导电类型。场效应管有三个电极： D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极； S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 增强型 MOS(EMOS) 场效应管 道增强型 MOSFET 基本上是一种左右对称的拓扑结构 ，它是在 P 型半导体上生成一层 SiO2 薄膜绝缘层， 然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的 N 型区，从 N 型区引出电极，一个是漏极 D ，一个是源极 S 。在源极和 漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极 G 。P 型半导体称为衬底 (substrat) ，用符号 B 表示。 一、工作原理 1 ．沟道形成原理 当 Vgs=0 V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在 D、S 之间加上电压，不会在 D、S 间形成电流。 当栅极加有电压时，若 0＜Vgs ＜Vgs(th) 时（ VGS(th) 称为开启电压），通过栅极和衬底间的电容作用， 将靠近栅极下方的 P 型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向 表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流 ID 。 进一步增加 Vgs ，当 Vgs ＞Vgs(th) 时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的 P 型半导体表 层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流 ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子 ，因与 P 型半导体的载流子空穴极性相反 ，故称为反型层 （inversion layer ）。随着 Vgs 的继续增加， ID 将不断增加。 在 Vgs=0V 时 ID=0 ，只有当 Vgs ＞Vgs(th) 后才会出现漏极电流，这种 MOS 管称为增强型 MOS 管。 VGS 对漏极电流的控制关系可用 iD=f(vGS)|VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图。 转移特性曲线斜率 gm 的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为 mA/V ，所以 gm 也 称为跨导。 跨导的定义式如下： gm= △ ID/△VGS| (单位 mS) 2 ． Vds 对沟道导电能力的控制 当 Vgs ＞Vgs(th) ，且固定为某一值时，来分析漏源电压 Vds 对漏极电流 I