宽禁带半导体ZnO材料的调研.ppt

2020/10/15 宽禁带半导体ZnO材料的调研 姓名：导师： 宽禁带半导体ZnO材料的调研 20 世纪50 年代，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管，导致了以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT 产业的飞跃，广泛应用于信息处理和自动控制等领域。 20 世纪90年代，随着移动无限通信的飞速发展和以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，第二代半导体材料开始兴起。由于其具有电子迁移率高、电子饱和漂移速度高等特点，适于制备高速和超高速半导体器件，目前基本占领手机制造器件市场。 当前，电子器件的使用条件越来越恶劣，为了满足未来电子器件需求，新发展起来了第三代半导体材料——宽禁带半导体材料，该类材料具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点。 精品资料 你怎么称呼老师？ 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点，你是否会认为老师的教学方法需要改进？ 你所经历的课堂，是讲座式还是讨论式？ 教师的教鞭 “不怕太阳晒，也不怕那风雨狂，只怕先生骂我笨，没有学问无颜见爹娘 ……” “太阳当空照，花儿对我笑，小鸟说早早早……” 精品资料 宽禁带半导体ZnO材料的调研 电阻率 能带 原先在不同孤立原子中但具有相同能级的许多电子形成晶体时，由于量子效应，不能有两个电子处于相同的状态，它们的能量必定彼此错开，各自处在一个能量略有差异的一组子能级上，形成能带。 禁带宽度 根据电子的能量分布，在某些能量范围内是不许有电子存在的称之为禁带，半导体的禁带宽度是一个决定电学和光学性能的重要参数。 宽禁带半导体ZnO材料的调研 元素半导体材料 硅：半导体集成电路，半导体器件和硅太阳能电池的基础材料。 锗：由于其特有性质，应用主要集中与制作各种二极管，三极管等。 有机半导体材料 有机半导体材料具有热激活电导率。有机半导体芯片等产品的生产能力差，但是拥有加工处理方便，结实耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。 非晶半导体材料 在工业上，非晶半导体材料主要用于制备像传感器，太阳能锂电池薄膜晶体管等非晶体半导体器件。 化合物半导体材料 如今化合物半导体材料已经在太阳能电池，光电器件，超高速器件，微波等领域占据重要位置，且不同种类具有不同的应用。 宽禁带半导体ZnO材料的调研 Zn0是一种新型的宽禁带半导体材料。具有优异的晶格、光电、压电和介电特性。 ZnO薄膜可以在低于500℃温度下获得，不仅可以减少材料在高温制备时产生的杂质和缺陷，同时也大大简化了制备工艺；同时ZnO来源丰富，价格低廉，又具有很高的热稳定性和化学稳定性。 ZnO在UV、蓝光LED和LDS器件等研究方面被认为是最有希望取代GaN的首选材料。 ZnO以其特殊的性质成为Si电路的补充。 无论是薄膜ZnO还是纳米ZnO在我国够有很好的发展。 宽禁带半导体ZnO材料的调研 Zno基本结构 闪锌矿结构；纤锌矿结构；NaCl结构；CsCl结构 ZnO晶体结构会随着环境条件的改变而改变。在常温下ZnO的稳定相是纤锌矿结构 宽禁带半导体ZnO材料的调研 材料 Zno GaN 4H-SiC 6H-SiC 禁带宽度（eV ） 3.37 3.39 3.26 3.03 晶格类型 纤锌矿 纤锌矿 纤锌矿 纤锌矿 晶格常数（A ） a=3.250 a=3.189 a=3.073 a=3.018 c=5.205 c=5.185 c=10.053 c=15.117 熔点（K ） 2250 2770 2070 2070 热导率（Wcm-6K-1 ） 0.6 1.3 3.0~3.8 3.0~3.8 CET(10-6K-1 ) a=6.5 a=5.6 3.5~5.0 3.5~5.0 c=3.0 c=7.7 电子迁移率（cm2V-1s-1 ） 196 1000 800 370 电子饱和速度（cms-1 ） 3.0 3.5 2.0 2.0 截止电压（Vcm-1 ） 5.0 5.0 2.2 2.4 宽禁带半导体参数比较 由于其禁带宽度、晶格常数和GaN非常相近，所以ZnO和GaN可以互为缓冲层来生长出高质量的GaN或ZnO薄膜。 同时ZnO室温下的禁带宽度为 3.37eV，与GaN(3.4eV)相近而他的激子束缚能远大于GaN( 25meV)等材料，因此在蓝紫光器件方面的应用比其它半导体更有潜力,产生室温短波长发光的条件更加优越。 宽禁带半导体ZnO材料的调研 ZnO是一种理想的短波长发光器件材料。能以带间直接跃迁的方式获得高效率的辐射复合。ZnO薄膜还具有较低的激射阈值，这主要是由于ZnO很高的激子束缚能(室温下为60meV)可以大大降低低温下的激射阈值，而且在室温下适当的激发强度，ZnO激子间的复合可取代电子-空穴对的复合，因而可预期一个低的阈值来产生受激发射。 ZnO的紫外受激发射中主要是紫外