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开关模式电源基础知识 2
为何使用开关模式电源?
显然是高效率。在SMPS 中,晶体管在开关模式而非线性模式下运行。这意味
着,当晶体管导通并传导电流时,电源路径上的压降最小。当晶体管关断并阻止高
电压时,电源路径中几乎没有电流。因此,半导体晶体管就像一个理想的开关。晶
体管中的功率损耗可减至最小。高效率、低功耗和高功率密度(小尺寸)是设计人
员使用SMPS而不是线性稳压器或LDO的主要原因,特别是在高电流应用中。例如,
如今12VIN、3.3VOUT开关模式同步降压电源通常可实现 90%以上的效率,而线
性稳压器的效率不到 27.5%。这意味着功率损耗或尺寸至少减小了 8 倍。
最常用的开关电源——降压转换器
图 8显示最简单、最常用的开关稳压器——降压型 DC/DC 转换器。它有两种
操作模式,具体取决于晶体管 Q1是开启还是关闭。为了简化讨论,假定所有电源
设备都是理想设备。当开关(晶体管)Q1开启时,开关节点电压VSW = VIN,电感 L
电流由(VIN – VO)充电。图8(a)显示此电感充电模式下的等效电路。当开关Q1
关闭时,电感电流通过续流二极管D1,如图 8(b)所示。开关节点电压 VSW = 0V,
电感L电流由 VO 负载放电。由于理想电感在稳态下不可能有直流电压,平均输出
电压VO可通过以下公式算出:
图 8.降压转换器操作模式和典型波形
其中TON是开关周期 TS 内的导通时间间隔。如果 TON/TS之比定义为占空比
D,则输出电压 VO 为:
当滤波器电感 L 和输出电容 CO的值足够高时,输出电压VO 为只有 1mV 纹波
的直流电压。在这种情况下,对于12V 输入降压电源,从概念上讲,27.5%的占空
比提供3.3V 输出电压。
除了上面的平均法,还有一种方式可推导出占空比公式。理想电感在稳态下
不可能有直流电压。因此,必须在开关周期内保持电感的伏秒平衡。根据图8中
的电感电压波形,伏秒平衡需要:
因此,VO = VIN ? D (5)
公式(5)与公式(3)相同。这个伏秒平衡法也可用于其他DC/DC拓扑,以推导
出占空比与 VIN 和 VO的关系式。
降压转换器中的功率损耗
直流传导损耗
采用理想组件(导通状态下零压降和零开关损耗)时,理想降压转换器的效率
为 100%。而实际上,功耗始终与每个功率元件相关联。SMPS 中有两种类型的损耗:
直流传导损耗和交流开关损耗。
降压转换器的传导损耗主要来自于晶体管Q1、二极管 D1和电感L在传导电
流时产生的压降。为了简化讨论,在下面的传导损耗计算中忽略电感电流的交流
纹波。如果 MOSFET 用作功率晶体管,MOSFET的传导损耗等于 IO2 ? RDS(ON) ? D,
其中RDS(ON)是 MOSFET Q1的导通电阻。二极管的传导功率损耗等于 IO ? VD ? (1
– D),其中 VD 是二极管D1 的正向压降。电感的传导损耗等于 IO2 ? R DCR,其
中 R DCR 是电感绕组的铜电阻。因此,降压转换器的传导损耗约为:
例如,12V输入、3.3V/10AMAX输出降压电源可使用以下元件:MOSFET RDS(ON)
= 10mΩ,电感 RDCR = 2 mΩ,二极管正向电压VD = 0.5V。因此,满负载下的传
导损耗为:
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