电源技术-开关电源组件的设计考虑因素（图文）.pdfVIP

开关电源组件的设计考虑因素 开关频率优化 一般来讲,开关频率越高,输出滤波器元件L和CO 的尺寸越小。因此,可减小 电源的尺寸,降低其成本。带宽更高也可以改进负载瞬态响应。但是,开关频率更 高也意味着与交流相关的功率损耗更高,这需要更大的电路板空间或散热器来限 制热应力。目前,对于 ≥10A的输出电流应用,大多数降压型电源的工作频率范 围为100kHz 至 1MHz ～ 2MHz。 对于10A 的负载电流,开关频率可高达几 MHz。 每个设计的最优频率都是通过仔细权衡尺寸、成本、效率和其他性能参数实现的。 输出电感选择 在同步降压转换器中,电感峰峰值纹波电流可计算如下: 在给定开关频率下,低电感提供大纹波电流并产生大输出纹波电压。大纹波 电流也会增加MOSFET RMS电流和传导损耗。另一方面,高电感意味着电感尺寸大, 电感DCR和传导损耗也可能较高。通常,在选择电感时,会选择超过最大直流电流 比的10% ～ 60%峰峰值纹波电流。电感供应商通常指定 DCR、RMS(加热)电流和 饱和电流额定值。在供应商的最大额定值内设计电感的最大直流电流和峰值电流 非常重要。 功率MOSFET 选择 为降压转换器选择MOSFET时,首先确保其最大VDS额定值高于具有足够裕量 的电源VIN(MAX)。但是,不要选择额定电压过高的 FET。例如,对于 16VIN(MAX) 电源,额定值为 25V或 30V的FET 非常适合。额定值为60V 的 FET的电压过高, 因为FET的导通电阻通常随额定电压的增加而增加。接下来,FET的导通电阻 RDS(ON)和栅极电荷 QG(或QGD)是两个最重要的参数。通常需要在栅极电荷 QG 和导通电阻 RDS(ON)之间进行取舍。一般而言,硅芯片尺寸小的FET 具有低 QG、 高导通电阻 RDS(ON),而硅芯片尺寸大的 FET具有低 RDS(ON)和大QG。在降压转 换器中,顶部MOSFET Q1 同时吸收了传导损耗和交流开关损耗。Q1 通常需要低 QG FET,特别是在具有低输出电压和小占空比的应用中。低压侧同步FET Q2 的交流 损耗较小,因为它通常在VDS 电压接近零时导通或关断。在这种情况下,对于同步 FET Q2,低 RDS(ON)比 QG更重要。如果单个FET 无法处理总功率,则可并联使用 多个MOSFET。 输入和输出电容选择 首先,应选择具有足够电压降额的电容。 降压转换器的输入电容具有脉动开关电流和大纹波电流。因此,应选择具有 足够RMS纹波电流额定值的输入电容以确保使用寿命。铝电解电容和低 ESR陶瓷 电容通常在输入端并联使用。 输出电容不仅决定输出电压纹波,而且决定负载瞬态性能。输出电压纹波可 以通过公式(15)计算。对于高性能应用,要尽量减少输出纹波电压并优化负载瞬 态响应,ESR 和总电容都很重要。通常,低 ESR钽电容、低 ESR 聚合物电容和多层 陶瓷电容(MLCC)都是不错的选择。 关闭反馈调节环路 开关模式电源还有一个重要的设计阶段——通过负反馈控制方案关闭调节 环路。这项任务通常比使用 LR或LDO 更具有挑战性。它需要充分了解环路行为 和补偿设计,通过稳定环路来优化动态性能。 降压转换器的小信号模型 如前所述,开关转换器随开关开启或关闭状态改变工作模式。它是一个分立 式非线性系统。要使用线性控制方法来分析反馈环路,需要进行线性小信号建模 [1][ 3]。由于输出 L-C滤波器,占空比 D至输出 VO 的线性小信号转换函数实际 上是一个具有两个极点和一个零点的二阶系统,如公式(16)所示。在输出电感和 电容的谐振频率处有两个极点。有一个由输出电容和电容 ESR决定的零点。 其中,