直视性电真空成像器件成像物理与“电子”有关的文档.pptx

直视性电真(Zhen)空成像器件成像物理;5.1 象管成像的物理过(Guo)程;辐射(She)图像的光电转换;电(Dian)子图像的能量增强;电子图像的发光(Guang)显示;5.2象管结构(Gou)类型与性能指标;第七页，共八十七页。;第八页，共八十七页。;第九页，共八十七页。;第十页，共八十七页。;近贴式X射线变象管工作原理示(Shi)意图;第十二页，共八十七页。;第十三页，共八十七页。;第十四页，共八十七页。;第十五页，共八十七页。;第十六页，共八十七页。;第十七页，共八十七页。;5.3 辐射图像的光电(Dian)转换;半(Ban)导体的基本知识;一、半导体材料 半导体——电阻率介于导体和绝缘体之间的材料 电子器件常用(Yong)的半导体材料：硅、锗 半导体的独特性质 摻杂性：摻入微量的杂质可使其电阻率大大降低 热敏性：一些半导体的电阻率随温度升高而明显 下降 光敏性：一些半导体的电阻率随光照的增强而明 显下降 ;二(Er)、本征半导体——纯净、不含杂质的半导体;2.本征激发及产生的两种载流子 （1）T=0K（-2730C），且无外界其他能量激发时，价电子不能挣脱共价键的束缚，晶体中没有自由电子，半导体不能导电。 （2）本征激发： T↑（或光(Guang)照）→价电子获得足够能量→自由电子（本征激发现象）