Zn_Cu2O和Cl_Cu2O薄膜的制备及其光电化学稳定性研究.pdfVIP

摘 要 21 传统化石能源的逐渐枯竭及其带来的环境污染是 世纪人类面临的 难题和挑战。因此，寻求可持续的洁净能源是各国科研工作者竞相研究的 必然趋势。其中光电化学分解水被认为是将太阳能转化为氢能源的一种简 单有效的方式，氧化亚铜(Cu O)由于其良好的禁带宽度(约为 1.8-2.2 eV)， 2 光吸收系数高，无毒环保，理论转换效率可以达到 18 %，在光电化学分解 水等诸多领域有着广泛的应用前景。 本论文采用三电极体系电化学沉积法制备 Cu O 薄膜并对其进行了掺 2 杂处理。之后对所制的Cu O 样品的晶体结构、表面形貌、禁带宽度、以 2 及光电化学稳定性进行了表征与分析。结果表明，在硫酸铜-乳酸体系中加 入不同浓度的硫酸锌(ZnSO )制备所得到的Zn:Cu O 薄膜，其光电流密度有 4 2 了大幅的提高，当溶液中ZnSO 含量为 160 mM 时，Cu O 薄膜的载流子浓 4 2 19 3 度和光电化学稳定性分别达到 2.7×10 /cm 和 92.97 %。在硫酸铜-乳酸 (CuSO -lactic acid)体系 中分别加入不 同浓度 的 CuCl 制备所得到 的 4 2 Cl:Cu O 薄膜，当 CuCl 浓度为 100 mM 时其光电流密度达到最大为 0.043 2 2 2 mA/cm ，载流子浓度和光电化学稳定性在 40 mM-CuCl 样品中达到最大 2 20 3 分别为 2.92×10 /cm 和 43.1 %. 通过紫外可见吸收光谱分析(UV-Vis)，电化学阻抗谱分析(EIS)，X 射 线光电子能谱分析(XPS)，光致荧光光谱分析(PL)，傅里叶红外光谱分析 (FTIR)和拉曼光谱(Raman)分析等测试对掺杂机理进行了研究。结果表明： 掺杂能改变氧化亚铜的结构、形貌、提高电荷的迁移能力、降低电子-空穴 的复合率从而提高 Cu O 的光电化学性能。 2 关键词：电化学沉积 掺杂 光电化学性能 I 目 录 摘 要I AbstractII 目 录IV 1 文献综述1 1.1 前言1 1.2 氧化亚铜的基本性质1 1.3 氧化亚铜薄膜的制备方法2 1.4 氧化亚铜在光催化分解水方面的研究5 1.4.1 研究背景5 1.4.2 氧化亚铜光催化机理6 1.4.3 氧化亚铜光电化学稳定性的研究进展6 1.5 氧化亚铜在太阳能电池方面的研究现状7 1.5.1 研究背景7 1.5.2 太阳能电池的工作机理8 1.5.3 氧化亚铜基异质结电池的制备9 1.5.4 氧化亚铜基异质结电池的优化研究10 1.5.5 n 型氧化亚铜的制备及同质结电池的性能研究11