PECVD与LPCVD技术差异说明.pdf

L PCV D 與 P ECV D技術差 異說明 目錄 第一章 、 化學氣相沉積法的基本原理 (CVD) 3 1.1 化 學 氣 相 沉 積 的 原 理 3 1.2 薄 膜 沉 積 原 理 4 7 第二章、什麼 是 PECVD 2.1 電 漿 形 成 的 基 本 原 理 7 2.2 電 漿 激 發 式 化 學 氣 相 沉 積 7 2.3 PECVD 設 備 類 型 9 第三章、什麼 是 LPCVD 11 3.1 低 壓 化 學 氣 相 沉 積 (LPCVD) 11 3.2 LPCVD 設 備 類 型 12 4 、比較表 14 5 、結論 14 6 、參考文件 16 第一章、化學氣相沉積法的基本原理 (CVD) 化學氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ，簡稱 CVD），就是經由化學反應的 方式，在反應器內，將反應物（通常為氣體）生成固態的沉積物，沉積於基板 表面的一種薄膜沉積技術。 因為這種薄膜沉積方式涉及化學反應， 故稱為化學 氣相沉積。 1.1 化學氣相沉積的原理 首先， 參與反應的反應氣體， 將從反應器的主氣流裏， 藉由反應氣體在主氣流 及基板表面間的濃度差，以擴散的方式，經過邊界層，傳遞到基板的表面。這 些到達晶片表面的反應氣體分子， 有一部份將被吸附在晶片表面上。 當參與反 應的反應物在表面相遇後， 藉由基板表面所提供的能量， 沉積反應的動作將發 生，這包括前面所提到的化學反應， 及產生的生成物在晶面表面的運動和生成 物的沉積等。 當沉積反應完成後， 反應的副產物及部份未參與反應的反應氣體， 將從晶體表面上進入邊界層， 最後進入主氣流裏， 這些未參與反應的反應氣體 與及生成物， 將被抽氣裝置或真空系統所抽離。 因此化學氣相沉積反應的反應 物及生成物，都必須經由主氣流和基板表面間的邊界層來傳遞。若以 CVD 的 操作壓力來區分它，可以分為常壓和低壓兩種。若以 CVD 反應器的溫度控制 來評斷，也可分為熱壁式與冷壁式兩種。若考慮 CVD 的能量來源及所使用的 反應氣體種類，我們也可以將 CVD反應器進一步劃分為 PECVD和 LPCVD。 1.2 薄膜沉積原理 [3] 晶片上的薄膜之所以能夠生成，主要是散佈於晶片表面上的氣 體分子或其他粒子，如原子團和離子等，經由化學反應而產生出固 態的粒子，然後沉積於基板表面﹔或是，因表面擴散運動而失去部 分動能的粒子，被晶片表面所吸附，進而沉積。這些粒子主要藉由 擴散，或是強迫性對流，而傳送到晶片表面。 薄膜的沉積，主要可分為下列幾個步驟，如下圖