Ⅲ-Ⅴ族半导体材料项目应用技术方案-中国调查报告网汇编.pdfVIP

WWW BAOGAO COM .100 . 第九章 Ⅲ - Ⅴ族半导体材料项目应用技术方案 报告分析主要产品：砷化镓、磷化镓、磷化铟 本节选以：砷化镓工艺为例分析如下： 第二节 生产技术方案 三、技术参数和工艺流程比较 4 ．1 ．1 各种砷化镓单晶制备工艺法概述 为了提高 GAA S 材料的质量、降低成本，科研工作者在晶体生长工艺方面作了很多研 究和改良，使材料质量有了较大的提高。初期的 G AA S 晶体生长的工艺方法主要有液封直 拉法（ LEC 法）和水平布里支曼法（ HB 法）。 LEC 法是在高压单晶炉内原位合成砷化镓后用籽晶引晶拉制单晶。该工艺的优点是可 生长适用于直接离子注人的高纯非掺杂半绝缘单晶，单晶纯度高，尺寸大，适于规模生产。 其主要缺点是结晶质量略差，位错密度较高，生长工艺复杂，工艺设备昂贵，成本高。 HB 法亦称舟生长法，该工艺的特点是单晶的结晶质量高， 工艺设备较简单，但晶锭尺 寸和形状受石英舟形状的限制， 生长周期长， 同时熔体与石英舟反应引入硅的沾污， 无法得 到直接离子注入用高纯 GAA S 单晶，常用于制各低阻低位错掺杂晶体和掺杂半绝缘单晶衬 底。近几年，为进一步提高单晶质量， 又发展了许多新工艺。国内外开发了兼具以上二者优 点的 VGF 法 (垂直梯度凝固法 ) ，VB 法(垂直布里支曼法 )和 VCZ 法(蒸气压控制直拉法 )， 成功制备出大直径砷化镓单晶。 各种砷化镓生长方法的优缺点如表 5 ： 图表 GAA S 单晶各种生长工艺方法优缺点的比较 WWW BAOGAO COM .100 . 资料来源：中国调查报告网 WWW .100BAOGAO .COM 4 ．1．2 水平布里奇曼法（ HB ） 水平布里奇曼法（ HORIZONTAL BRIDGMAN M ETHOD ，HB ）该法于 1925 年由 P ．W ． BRIDGMAN 所建立， 1957 年由 J ．F ．EDMUND 应用于 GAA S 单晶生长。方法的特点是使 熔体通过具有一定梯度的温区而获得单晶生长。以 3 温区布曼（ 3THB 法）为例，其设备 和炉温分布如图 2 所示。 GA 被置于已打毛的石英舟内，而 A S 置于反应管的低温端。在 镓与砷合成为 GAA S 熔体之后，将晶向为＜ 111 ＞的籽晶少量回熔，而后开始单晶生长。 在单晶生长过程中，由高温区 T1 与中温区 T2 之间，即生长前沿固——液界面处的纵向 CM MM H R A S 与横向温度梯度为 1～3 ℃／ ，生长速度为 2～5 ／ 。此法所获掺 C 半绝缘 G A 单晶电阻率一般为 L0 Ω· CM 。 图 2 HB 法设各及炉温分布示意图 WWW BAOGAO COM .100 . 资料来源：中国调查报告网 WWW .100BAOGAO .COM 4 ．1 ．3 液封直拉法（ LEC ） 液封直拉法（ LIQUID ENCAPSULATE - CZOCHRALSKI ，LEC ）该法于 1962 年首先由 E ．P ． A ．M ETZ 用于化合物半导体 P BT E -晶长生。 1965 年由 J ．B ．MULLIN 应用于 GA AS 常压下的单 晶生长。