深入详解逻辑门电路.pptxVIP

深入详解逻辑门电路VCC当S打开时，vO为高电平当S闭合时，vO为低电平vOvI输出信号S输入信号第1页/共73页在数字电路中，用高、低电平分别表示逻辑代数中的1、0获得高、低电平的基本方法：S用二极管或三极管或场效应管来实现控制管子工作在截止和导通状态，它们就可起到图中S的作用0110正逻辑负逻辑第2页/共73页若以高电平表示1，低电平表示0，则称正逻辑若以高电平表示0，低电平表示1，则称负逻辑低电平上限高电平下限只要能判断高低电平即可本书采用正逻辑IIEEUDUDEEUDDUI反I反第3页/共73页2.1 基本逻辑门电路2.1.1二极管的开关特性 二极管具有单向导电性，在数字电路中表现为一个受外电压控制的开关。外加正向电压时，D导通；UD=0，相当于一个闭合的开关。外加反向电压时，D截止；I反=0， 相当于一个断开的开关。VCC=5V分析可得：R=3KD1AYBD2AYB若定义1表示高电平，0表示低电平，则得真值表：第4页/共73页2.1.2二极管与门设：VIL=0V，VIH=3V，二极管正向压降忽略不计结论：该电路实现了与的关系，为与门分析可得：D1AYBD2RAYB若定义1表示高电平，0表示低电平，则得真值表：第5页/共73页2.1.3二极管或门设：VIL=0V，VIH=3V，二极管正向压降忽略不计结论：该电路实现了或的关系，为或门VCCRc+iCRBvO+iBvI--第6页/共73页2.1.4三极管的开关特性 三极管在数字电路中通常工作在截止状态（相当于开关断开）和饱和状态（相当于开关闭合）。1. 三极管开关电路只要参数配合得当，可做到：当vI为低电平时，三极管工作在截止状态，输出为高电平；当vI为高电平，三极管工作在饱和状态，输出为低电平。①当vI=VIL(VIL=-1V)时，vBE0，则iB=0，iC≈0，三极管截止。此时，RC上无压降，vO≈VCC，为高电平。 一般认为，在vIVON时，三极管处于截止状态。VCCRc+定义放大倍数：iCRBvO+iBvI--第7页/共73页2.1.4半导体三极管的开关特性1. 三极管开关电路②当vIVON时，有iB产生，相应地有iC产生，三极管进入放大区；vI↑→iB↑→vO↓；VCCRc+iCRBvO+iBvI--第8页/共73页2.1.4半导体三极管的开关特性1. 三极管开关电路③vI继续增加，RC上的压降也随之增大，vCE下降，当vCE↓≈0时，三极管处于深度饱和状态， vO≈0，为低电平。注：当VCE=VBE时，三极管为临界饱和导通；集电极临界饱和导通电流 ICS≈VCC/RC基极临界饱和导通电流 IBS=ICS/β=VCC/ (β RC)当iBIBS时，三极管为饱和状态； 发射结饱和压降 VCES～VCCVCCRc+iCRBvO+vOiBvIvI--S第9页/共73页总结：当vIVON时，三极管处于截止状态； 当vIVON时，三极管处于放大状态； 当vI增加到使iBIBS时，三极管处于饱和状态。当vI=VIL时，三极管截止，iC≈0，相当于开关断开，vO≈VCC；当vI=VIH时，三极管饱和，uCE≈0，相当于开关闭合， vO≈0 ；vItiCtvOttontoff第10页/共73页2.三极管的开关时间①从截止到饱和导通所需的时间称为开启时间 ton快发射区变窄、基区建立电荷所需要的时间。②从饱和导通到截止所需时间称为关闭时间toff慢清除三级管内存电荷所需要的时间。输出vO落后于输入vIVCCRcYR1(vO)A(vI)R2-VEEAY第11页/共73页2.1.5三极管非门电路A为低电平（0），T截止，Y为高电平（1）A为高电平（1），T导通，Y为低电平（0） 实现了非门的关系 又称反相器。实际应用中，接R2和VEE，使T可靠截止。第12页/共73页分立元件门电路的缺点1. 体积大、工作不可靠。2. 需要不同电源。3. 各种门的输入、输出电平不匹配。4. 带负载能力差。 与分立元件电路相比，集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点，而且输入、输出电平匹配，所以早已广泛采用。根据电路内部的结构，可分为DTL、TTL、HTL、MOS管集成门电路等。+5VR1R2R4??3kb1T3c1AT2T4?T1B?R5CFT5?R3??第13页/共73页2.2 TTL逻辑门电路2.2.1 TTL与非门的基本结构和工作基本原理一、基本结构输入级倒相级输出级第14页/共73页典型的TTL与非门电路 (a) 电路原理图； (b) 多射极晶体管的等效电路+5VR1R2R43kb1T3c1AT2T4T1BR5CFT5三个PN结R3“0”导通需2.1V第15页/共73页二、工作原理1. 任一输入为低电平（）时??不足以让T2、T5导通?1V????+5VR1R2R43kb1