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PAGE PAGE 1 对存储器件进行编程和验证的方法以及相关的存储器件与流程 对存储器件举行编程和验证的办法以及相关的存储器件1.本申请是申请日为2019年10月18日，题为“对存储器件举行编程和验证的办法以及相关的存储器件”，申请号为201980002547.6的专利申请的分案申请。技术领域2.本发明涉及对存储器件举行编程和验证的办法以及相关的存储器件，并且更详细地涉及一种对具有3d qlc结构的存储器件举行编程和验证的办法以及相关的存储器件。背景技术：3.半导体存储器已经变得越来越流行用于各种电子器件中。例如，非易失性半导体存储器被应用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算器件、非移动计算器件和其他器件中。最近，已提出了用法三维(3d)堆叠存储器结构(有时被称为比特成本可缩放(bit cost scalable，bics)架构)的超高密度的储存器件。例如，可以由交替的导电和电介质层的阵列形成3d nand堆叠闪存器件。在这些层中钻存储孔，以同时限定许多存储层。然后通过用适当的材料填充存储孔来形成nand串。存储单元的控制栅极由导电层提供。4.每个平面nand存储器由通过多个字线和位线衔接的存储单元的阵列组成。逐页地将数据编程到平面nand存储器中或从平面nand存储器中读取该数据。为了减轻浮栅到浮栅耦合的影响，可以通过粗略和精细编