材料分析技术在集成电路制程中的应用汇编.pdfVIP

材料分析技术在集成电路制程中的应用 谢咏芬、何快容 11-1 简介 在 现 今 的 微 电 子 材 料 研 究 中 ， 各 式 各 样 的 分 析 仪 器 通 常 被 用 来 协 助 技 术 开 发 (Technology Developement) 、 制 程 监控 (Process Monitoring) 、 故 障分析 (Failure Analysis) 、和进行产品功能异常侦错 (Products Debug) 等研究 ( 请见 图 11-1-1 ) ；本章 将简要叙述各种分析仪器的工作原理、 分辨率、 和侦测极限， 并以典型的实例来说明这些分 析技术在半导体组件制造中的应用。 图 11-1-1 有关微电子材料的分析技术可以概分为结构分析 ( 物性 ) 与成份分析 ( 化性 ) 两 大类，常见的仪器计有光学显微镜 (Optical Microscope, OM) ，扫描式电子显微镜 (Scanning Electron Microscope, SEM) ，X 光能谱分析仪 (X-ray Spectrometry) ，穿透式 电子显微镜 (Transmission Electron Microscope, TEM) ，聚焦式离子束显微镜 (Focused Ion beam, FIB) ，X 光绕射分析仪 (X-ray Diffractometer, XRD) ，扫描式欧杰电子显微镜 (Scanning Auger Microscope, SAM)，二次离子质谱仪 (Secondary ion MassSpectrometry, SIMS) ，展阻量测分析仪 (Spreading Resistance Profiling, SRP) ，拉塞福背向散射质谱 仪 (Rutherford Backscattering Spectrometry, RBS) ，和全反射式 X- 光萤光分析仪 (Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF) 等十几种之多，请见 图 11-1-2 。 目前在 IC 工业中， 无论是生产线或一般的分析实验室中， 几乎随处可见到光学显微镜， 然而对各类的 IC 组件结构观察或日常的制程监控， 最普遍的分析工具仍是扫描式电子显微 镜；近几年来，由于组件尺寸微小化 (Device Miniaturization) 的趋势已步入深次微米 (Deep Sub-Micron) 的世代，许多材料微细结构的观察都需要高分辨率 (Resolution) 的影 像品质，穿透式电子显微镜的重要度自然日益提高； 但是在进行组件故障或制程异常分析时， 往往需要定点观察或切割局部横截面结构， 以便确认异常发生的时机或探讨故障的真因， 因 此聚焦式离子束显微镜 (Focused Ion Beam, FIB) 应运而生，这项分析技术近五年来蓬勃 发展，提供了定点切割技术 (Precisional Cutting) 、自动导航定位系统 (Auto Navigation System) 、和立即蒸镀和蚀刻 (In-Situ Deposition and Etching) 等功能，大大的满足了 各类定点观察的需求， 同时也带来了其它像线路修补 (Circuit Repair) 、布局验证 (Layout Verification) 等多样化的功能， 使得各类分析的进行减少了试片制备的困扰， 同时对定点 分析的能力可提升到 0.1 um 以下的水准。 图