硅的晶体结构环境与衬底制备.pptxVIP

会计学;1.1 硅晶体结构的特点;硅半导体的结构;晶胞－能最大限度地反应晶体对称性的最小单元。 300K时，硅的晶格常数a=5.4305?，锗的晶格常数a=5.6463? 硅的原子密度：8/a3=5×1022/cm3，锗的原子密度：8/a3=4.42×1022/cm3;1.2 晶向、晶面和堆积模型;111;晶面; 不同晶面上硅原子的分布不同，可以计算出晶面上单位面积上的原子数－面密度。;堆积模型;双层密排面; 原生缺陷是晶体生长过程中形成的缺陷。主要有宏观缺陷和微观缺陷两大类。孪晶、裂纹、夹杂、位错、小角度晶界、微缺陷和微沉积等。 有害杂质则是会影响晶体性质的杂质或杂质团，主要有受主、施主、重金属、碱金属等。原量生缺陷和有害杂质除影响材料的力学性质、载流子的输运或杂质的扩散行为外,还与加工工艺中产生的诱生缺陷密切相关。;硅晶体中的原生缺陷;线缺陷;第13页/共64页;第14页/共64页; 位错特点① ：引起晶格畸变，在晶体内形成应力场。应力场容易聚集杂质原子,特别是有害杂质原子。形成一个稳定的杂质沉积体,它们往往是形成微缺陷、外延层错、氧化层错的核心。 位错特点②:在外界施加一定能量的情况下,会产生攀移和滑移运动。热处理过程易使位错运动。?位错存在于器件有源区时,有害杂质的聚集反扩散杂质在位错线上增强扩散形成的导通“管道”将直接影响器件的特性,如击穿电压,