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一种金刚石及其制备方法和应用 技术领域 本发明属于超硬材料的制备领域，具体涉及一种高质量金刚石及其制备方法和应用。 背景技术 金刚石有许多优异的性能，如最高的硬度，最好的耐磨性等，这使得金刚石在很多方面具有广泛的用途。当前主要的制备方法有高温高压法、爆炸法、化学气相沉积法等。爆炸法仅能制备粉末金刚石，而高温高压法制备的金刚石条件较为苛刻，同时制备的金刚石的纯度较低。随技术的发展，等离子体化学气相沉积法的应用面越来越广，可用于制备涂层金刚石、单晶金刚石、大面积多晶金刚石厚膜窗口等，而当前主流的方法有热丝法、微波法、电弧炬法、磁控溅射法等。随着工业化的进行，人们发现使用中有部分问题，如热丝法成本便宜，但金刚石的质量不高，微波法质量高，但设备复杂，放大生产，降低成本较难；电弧炬法可以生产高质量单晶光学级金刚石，但是金刚石内应力较大，成本较高，成品率不足80%。人们采用了各种方法，温度场模拟，气流场模拟，等离子体发射光谱测试等，应力场的模拟，测试等。人们就单一的方法已经近乎极限，但是效果仍然不是十分理想。 上海张志明老师课题组引入电场增强热丝等离子体化学气相沉积技术，极大拓展了热丝等离子体的稳定的金刚石的沉积区间，在拉丝模领域取得了良好的应用效果。北京及石家庄吕反修老师课题组，引入磁场到电弧炬等离子体化学气相沉积技术，对电弧炬末端的炬芯到炬边缘的温度梯度降低的很大，进而制备金刚石厚膜的应力降低，成品率有了改善。但是上述方法仍然难以使化学气相沉积金刚石技术大规模市场化应用，所制备的金刚石的均一性、韧性、内应力、使用寿命、金刚石含量等仍有待提高。 发明内容 本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种改进的金刚石的制备方法，该方法能够稳定获得高质量的金刚石。 本发明同时还提供一种上述方法制成的金刚石。 本发明同时还提供了一种上述制成的金刚石在制备切削刀具和散热片中的应用。 为达到上述目的，本发明采用的一种技术方案是： 一种金刚石的制备方法，其包括依次进行的如下工序： （1）通过对基片台的基材材料进行处理，获得易于与金刚石膜分离的表面，其中对所述基片台的基材材料进行处理的方式为如下方式中的任一种： 方式一：采用第一材料作为基材材料，进行表面抛光处理，并在基材材料表面形成第一形核层后得到所述基片台，所述第一材料为在金刚石的气相沉积温度下不与碳反应的材料，第一形核层的材料为选自金刚石、无定形碳、碳化硅、硅、锗、铍中的一种或多种的组合； 方式二：采用第二材料作为基材材料，进行表面抛光处理并形成第二形核层后得到所述基片台，所述第二材料为在金刚石的气相沉积温度下会软化或熔化的材料，所述第二形核层的材料为选自碳、硅、碳化硅、氮化硅中的一种或多种的组合； 方式三：对基材材料的表面进行处理，在其上依次形成疏松层和第三形核层后，作为基片台，所述疏松层的材料为选自无定形碳、无定形硅、金刚石微粉、二氧化硅微粉、三氧化二铝微粉中的一种或多种的组合；所述第三形核层的材料为选自金刚石、无定形碳、碳化硅、硅、锗、铍中的一种或多种的组合； （2）采取等离子体化学气相沉积法，在所述的基片台表面形成金刚石膜层，其中所述等离子体化学气相沉积法采用多种能量源耦合等离子体，多种能量源为2种、3种或更多种； （3）对所述金刚石膜层进行后处理，以去除其中金刚石表面的杂质材料及与金刚石膜主体性能不一致的形核层和/或应力层。 进一步地，方式一中，所述第一材料可以具体选自铜、铜合金、碳化硅、三氧化二铝、二氧化硅以及微晶玻璃陶瓷等不与碳反应的材料。 方式二中，所述的第二材料可以是选自汞、铅、锡、铝、钠及其合金等材料。 方式三中，所述基材材料没有特别限制，可以是任何合适的材料，具体而言，例如可以是选自那些在金刚石的气相沉积温度下与金刚石反应的材料，也可以是选自上述的第一材料及所述第二材料。 作为本发明的一种优选实施方式，方式三中，基材材料是选自那些在金刚石的气相沉积温度下与金刚石反应的材料，具体例如可以是铁、铁合金、镍、镍合金、钛、钨、钼及其合金等。 进一步地，方式一中，所述的第一形核层的厚度可以为5nm-5μm，第一形核层的存在非常有助于后续步骤中金刚石的生长，大大提高其生长效率。第一形核层的形核密度没有特别限制，但从工业角度而言，优选不低于1.0×10?13个/cm?2。第一形核层的厚度可以进一步优选为50nm-500nm。 进一步地，方式二中，所述的第二形核层的厚度为200nm-5μm，设置该第二形核层，可以有效保障所最终形成和分离的金刚石膜的整体结构和完整性。第二形核层的形核密度同样没有特别限制，但从工业角度而言，优选不低于1.0×10?13个/cm?2。第二形核层的厚度进一步优选为500-5μm，更进一步优选为1-5μm。 进一步地，方式三中，所述疏松层的厚度为0.01nm-1000μm