一种金刚石及其制备方法和应用发明专利.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112030133 A (43)申请公布日 2020.12.04 (21)申请号 202011229600.7 C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01) (22)申请日 2020.11.06 C23C 16/52 (2006.01) (71)申请人 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限 F28F 21/02 (2006.01) 公司 C01B 32/26 (2017.01) 地址 215000 江苏省苏州市吴中区郭巷街 B23K 26/38 (2014.01) 道尹丰路39号1幢4层408室 申请人 上海征世科技有限公司 (72)发明人 王涛　王箫　满卫东　张雪梅　 朱长征　徐念　龚闯　 (74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有 限公司 32103 代理人 汪青　向亚兰 (51)Int.Cl. C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书13页 附图7页 (54)发明名称 一种金刚石及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种金刚石及其制备方法和 应用，该金刚石的制备方法包括（1）通过对基片 台的基材材料进行处理，获得易于与金刚石膜分 离的表面；（2）采取等离子体化学气相沉积法，在 基片台表面形成金刚石膜层，其中等离子体化学 气相沉积采用多种能量源耦合等离子体；（3）对 金刚石膜层进行后处理，以去除其中金刚石表面 的杂质材料及与金刚石膜主体性能不一致的形 核层和/或应力层。本发明通过对工艺整体进行 综合设计，尤其是通过前期基片台的基材材料进 行处理，沉积工艺中多种能量源的耦合，以及特 定的后处理，实现稳定的高质量大面积的金刚石 A 膜的制备。该方法具有厚度可控，质量可控，成本 3 可控等优点，为金刚石在刀具、热沉等领域奠定 3 1 0 了基础。 3 0 2 1 1 N C CN 112030133 A 权　利　要　求　书 1/3页 1.一种金刚石的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括依次进行的如下工序： （1）通过对基片台的基材材料进行处理，获得易于与金刚石膜分离的表面，其中对所述 基片台的基材材料进行处理的方式为如下方式中的任一种： 方式一：采用第一材料作为基材材料，进行表面抛光处理，并在基材材料表面形成第一 形核层后得到所述基片台，所述第一材料为在金刚石的气相沉积温度下不与碳反应的材 料，第一形核层的材料为选自金刚石、无定形碳、碳化硅、硅、锗、铍中的一种或多种的组合； 方式二：采用第二材料作为基材材料，进行表面抛光处理并形成第二形核层后得到所 述基片台，所述第二材料为在金刚石的气相沉积温度下会软化或熔化的材料，所述第二形 核层的材料为选自碳、硅、碳化硅、氮化硅中的一种或多种的组合； 方式三：对基材材料的表面进行处理，在其上依次形成疏松层和第三形核层后，作为基 片台，