半导体元器件IQC检验方法.pdfVIP

半導體元器件 IQC 檢驗方法 一﹑ 二極體 1﹑外觀檢驗﹕ 用 XTJ-4400(顯微鏡 )檢驗二極體﹐無裂痕﹑殘缺等外觀不良現象。 2﹑尺寸檢驗﹕ 用游標卡尺根據廠商規格檢驗二極體本體長度﹑ 寬度﹑腳長度﹑ 腳間距﹑ 相對二腳 間之距離﹑腳厚度﹐其它測試要點按照材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范 圍內。 3﹑正向導通電阻﹕ 用萬用表測試﹐ 紅表筆接正極﹐ 黑表筆接負極﹐ 測量值應在 0.5~~0.65KΩ 范圍內。 表筆反接﹐阻值接近無窮大﹐帶黑色標記的一端為負極。若兩方向之讀數均高﹐則 二極管斷路。反之為短路。 硅管正向電阻為數百至數千歐﹐反向 1M 歐以上。 鍺管正向電阻為數 10Ω~~1000Ω。 4﹑逆向耐壓值﹕ 逆向耐壓值例如 100V﹑用 GPI-735GPR-7510HD(直流高壓機 電源供給器 )進行測 試﹐反接于電路中﹐即紅表筆接負極﹐黑表筆接正極﹐經過 10 秒后﹐二極管不被 擊穿。 具體測試方法如附件﹕ 5﹑耐熱性﹕ ● 將二極體浸入 260±5℃錫爐中﹐經 10秒后取出來﹐在常溫下靜置 1 小時以上﹐ 2 小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。 ● 將二極體過 Air Reflow 【260+0/-5℃﹐時間為 10~30秒】﹐總程6 分鐘後取出﹐在 常溫下靜置 1 小時以上﹐ 2 小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。 此為必檢項目。 6﹑焊錫性﹕ 浸助焊劑后﹐將二極管浸入 235±5℃錫溶液中﹐經 2±0.5 秒后取出﹐二極管兩端有 第 1 頁，共 5 頁 95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器 XTJ-4400(顯微鏡 )。此為必檢項目。 二﹑電晶體 1﹑分類﹕ DIP (ATV ﹑SPT﹑TO-92) 有 2SD1863﹑2SD1768S﹑KSD1616A等。 SMD (SOT-23,SMT3,MPT3,SOT-89 )有 KST4401﹑2SC2411K﹑2SD1664﹑2SD1898等。 2﹑ 外觀檢驗﹕ 用 XTJ-4400(顯微鏡 )檢驗電晶體﹐無裂痕﹑殘缺等外觀不良現象。 3﹑尺寸檢驗﹕ 用游標卡尺根據廠商規格檢驗電晶體本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳 間之距離﹑腳厚度﹐其它測試要點如材料規格書所示﹐ 測試結果應在規定公差范圍 內。 4﹑電晶體腳位的判別﹕ ● 電晶體三個電極分別為﹕基極 (B)﹑集電極 (C)﹑發射極 (E) ﹔ ● 電晶體類型分別為﹕ PNP型及 NPN 型兩類﹔ ● 將印字面正對自己﹐從左到右依次為 e,c,b ﹐外型如圖一所示。 1 2 3 e c b ( 圖一) 5﹑測試方法及腳位說明﹐詳見附件。 6﹑放大倍數 hFE FE 利用儀器 MY-65(數字萬用表 )h 檔來測量﹐ 將三極管按 NPN或 PNP 的腳位插好﹐讀 取數據。 DIP 直接測量﹐ SMD 需連線﹐一般在 30