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ICP刻蚀工艺重点计划 ICP刻蚀工艺重点计划 ICP刻蚀工艺重点计划 ICP 考试题库 一，选择题。 1、 ICP 刻蚀机的分子泵正常运转时的转速大概在（B ） RPM A 20000 B 32000 C 40000 D 18000 2、北微 ICP 本底真空和漏率指标为（ A ）时，设施能够正常工作 A 0— 0.1mT 1mT/min B 2.5mT 2mT/min C 0.3-- 0.5mT 1.0mT/min D 0.5mT 2.5mT/min 3、 NMC刻蚀机目前 SRF时间为（ C ）时，要求对设施进行开腔洁净 A 50H B 100H C 200H D 2000H 4、 SLR ICP 托盘、螺丝等冲洗标准作业流程 (ABC) 用 DI 水喷淋托盘（底盘和盖子） 、耐高温橡皮条（ 7 根）、螺丝 用 N2吹干 螺丝使用一次后冲洗；托盘和橡皮条使用三次后冲洗；当日所有声波冲洗 5、 ELEDE ICP 铝盘、石英盖、密封圈冲洗标准作业流程 ( ABCD ) A. 用 DI 水浸泡石英托盘 20min 用 DI 水冲刷一遍 用 N2吹干 D．用 IPA 擦抹密封圈 6、 ELEDE ICP 卸晶片标准操作流程 ( ABC ) A．用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定地点 B．用手轻轻地拿出石英盖 C．用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里 7、 C