功能材料(非晶态合金)知识讲解.pptVIP

1．真空蒸发法 用真空蒸发法制备元素或合金的非晶态薄膜已有很长的历史了。在真空中(~1.33×10-4Pa)将材料加热蒸发，所产生的蒸气沉积在冷却的基板衬底上形成非晶态薄膜。其中衬底可选用玻璃、金属、石英等，并根据材料的不同，选择不同的冷却温度。如对于制备非晶态半导体(Si，Ge)，衬底一般保持在室温或高于室温的温度；对于过渡金属Fe，Co，Ni等，衬底则要保持在液氦温度。制备合金膜时，采用各组元同时蒸发的方法。 真空蒸发法的优点是操作简单方便，尤其适合制备非晶态纯金属或半导体。缺点是合金品种受到限制，成分难以控制，而且蒸发过程中不可避免地夹带杂质，使薄膜的质量受到影响。 2．溅射法 溅射法是在真空中，通过在电场中加速的氩离子轰击阴极(合金材料制成)，使被激发的物质脱离母材而沉积在用液氮冷却的基板表面上形成非晶态薄膜。这种方法的优点是制得的薄膜较蒸发膜致密，与基板的粘附性也较好。缺点是由于真空度较低(1.33~0.133Pa)，因此容易混入气体杂质，而且基体温度在溅射过程中可能升高，适于制备晶化温度较高的非晶态材料。 溅射法在非晶态半导体、非晶态磁性材料的制备中应用较多，近年发展的等离子溅射及磁控溅射，沉积速率大大提高，可制备厚膜。 3．化学气相沉积法(CVD) 目前，这种方法较多用于制备非晶态Si，Ge，Si3N4，