mos管驱动电流计算.pdfVIP

第一种: 可以使用如下公式估算： Ig=Qg/Ton 其中： Ton=t3-t0 ≈td(on)+tr td(on) ：MOS 导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS 下降到其幅值90% 的时间。 Tr ：上升时间。输出电压VDS 从90%下降到其幅值10%的时间 Qg= （CEI ）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet 中找到） 第二种：（第一种的变形） 密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig ； Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg； Ig：MOS 栅极驱动电流；Vb ：稳态栅极驱动电压； 第三种： 以IR 的IRF640 为例，看DATASHEE 里有条Total Gate Charge 曲线。该曲线先上升然后 几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在内使管子开通，估计总时 间（先上升然后水平再上升）为，由Qg=67nC 和可得：67nC/=，当然，这是峰值，仅在管 子开通和关短的各里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输 出这个峰值，管子的开通就会变慢。