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半导体物理与器件第四版答案 【篇一：半导体物理第五章习题答案】 1. 一个 n 型半导体样品的额外空穴密度为 1013cm-3 ，已知空穴寿 命为 100?s ，计算空穴的复合率。 解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子 -空穴对数， 因此 1013 u???1017cm?3?s ?6 ?100?10 ??0 2. 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀吸收，产生额外载流子，产 生率为 gp ， 空穴寿命为 ? ，请 ①写出光照开始阶段额外载流子密度随时间变化 所满足的方程； ②求出光照下达到稳定状态时的额外载流子密度。 解：⑴光照下，额外载流子密度 ?n=?p ，其值在光照的开始阶段随 时间的变化决定于产生和复合两种过程，因此，额外载流子密度随 时间变化所满足的方程由产生率 gp 和复合率 u 的代数和构成，即 d(?p)?p ?gp? dt? d(?p) ?0 ，于是由上式得 ⑵稳定时额外载流子密度不再随时间变化，即 dt ?p?p?p0?gp? 3. 有一块 n 型硅样品，额外载流子寿命是 1?s ，无光照时的电阻率 是 10??cm 。今用光照射该样品，光被半导体均匀吸收，电子 -空穴 对的产生率是 1022/cm3?s ，试计算光照下样品的电阻率，并求电导 中少数载流子的贡献占多大比例？ 解：光照被均匀吸收后产生的稳定额外载流子密度 ?p??n?gp??1022?10?6?1016 cm －3 取?n?1350cm2/(v?s) ，?p?500cm/(v?s) ，则额外载流子对电导率 的贡献 2 ????pq(?n??p)?1016?1.6?10?19?(1350?500)?2.96 s/cm 无光照时 ?0? 1 ?0 ?0.1s/cm ，因而光照下的电导率 ???0????2.96?0.1?3.06s/cm 相应的电阻率 ?? 1 ? ? 1 ?0.33??cm 3.06 少数载流子对电导的贡献为： ?p?pq?p??pq?p?gp?q?p 代入数 据： ?p?(p0??p)q?p??pq?p?1016?1.6?10?19?500?0.8s/cm ∴ ?p?0??? ? 0.8 ?0.26?26 ﹪ 3.06 即光电导中少数载流子的贡献为 26 ﹪ 4. 一块半导体样品的额外载流子寿命 ? =10?s ，今用光照在其中产 生非平衡载流子，问光照突然停止后的 20?s 时刻其额外载流子密度 衰减到原来的百分之几？ 解：已知光照停止后额外载流子密度的衰减规律为 ?p(t)??p0e? 因此光照停止后任意时刻额外载流子密度与光照停止时的初始密度 之比即为 t??p(t) ?e? ?p0 ? t 当 t?20?s?2?10?5s 时 20??p(20) ?e10?e?2?0.135?13.5 ﹪ ?p0 5. 光照在掺杂浓度为 1016cm-3 的 n 型硅中产生的额外载流子密度 为?n=?p= 1016cm-3 。计算无光照和有光照时的电导率。 解：根据新版教材图 4-14 （a ）查得 nd=1016cm-3 的 n 型硅中多 子迁移率 ?n?1100cm2/(v?s) 少子迁移率 ?p?500cm2/(v?s) 设施主杂质全部电离，则无光照时的电导率 ?0?n0q?n?1016?1.6?10?19?1100?1.76 s/cm