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第六章课后习题解析
J
,
一
.
kT N。凡
解. pn 结的自建电势 V =
D 了(In 丁)
已知室温下, kT =0.026eV, Ge 的本征载流子密度,1, =2.4x10“cm一3
5x 10 x )017
代入后算得: V,, = 0.026 x In = 0.36V
。 (2.4xl013 )2
4. 证明反向饱和电流公式 (6-35) 可改写为
b叶 k。T , I . I
J = 一一(—+—)
$ (l +b)2 q c “L. 6 PLP
式中b =生, 6n 和6P 分别为 n 型和p 型半导体电导率, 6, 为本征半导体电导
µp
率。
KT KT
证明: 将爱因斯坦关系式D =
—µ 和D. =一-µ 代入式 (6-35) 得
p p
q q
µ. µP IIP, P彴
Js = kT —n,,. +kT —p.. = kTµ队—+—)
L"片如IP LPµ“
2 2
,J. n
因为n = ` , p = , 上式可进一步改写为
几 彴
P,,.. n..
I l I I
JS =kTµ./.IP叶(—+—) =qkTµ./.1,11,2(—+—)
L"叱P^ 兮µ,,n.. L.6P Lp6,
又因为
6, = niq(µ3 /.IP)
矿= 1忖(µ.+/.IP)' = 矿q旷(l+b)
即
_,
, 6 6
. = = 2,
q (µ,, +µP)q /.IP2(l + b)
将此结果代入原式即得证
qkTµ_µ_c;, I. I, kT b矿 I . I
J s = •• p (— +— ) =—· ·
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