学术论文 - 半导体物理第六七章习题答案..pdfVIP

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2021-11-30 发布于广东
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学术论文 - 半导体物理第六七章习题答案..pdf

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第六章课后习题解析 J ，一 . kT N。凡解． pn 结的自建电势 V = D 了(In 丁）已知室温下， kT =0.026eV, Ge 的本征载流子密度，1，＝2.4x10“cm一3 5x 10 x )017 代入后算得： V,, = 0.026 x In = 0.36V 。 (2.4xl013 )2 4．证明反向饱和电流公式 (6-35) 可改写为 b叶 k。T , I . I J = 一一(—+—) $ (l +b)2 q c “L. 6 PLP 式中b ＝生， 6n 和6P 分别为 n 型和p 型半导体电导率， 6，为本征半导体电导 µp 率。 KT KT 证明：将爱因斯坦关系式D = —µ 和D. ＝一－µ 代入式 (6-35) 得 p p q q µ. µP IIP, P彴 Js = kT —n,,. +kT —p.. = kTµ队—+—) L＂片如IP LPµ“ 2 2 ,J. n 因为n = ` , p = ，上式可进一步改写为几彴 P,,.. n.. I l I I JS =kTµ./.IP叶(—+—) ＝qkTµ./.1,11,2(—+—) L＂叱P^ 兮µ,，n.. L.6P Lp6, 又因为 6, = niq(µ3 /.IP) 矿＝ 1忖(µ.+/.IP)＇＝矿q旷(l+b) 即 _, , 6 6 . = = 2, q (µ,, +µP)q /.IP2(l + b) 将此结果代入原式即得证 qkTµ_µ_c;, I. I, kT b矿 I . I J s = •• p (— +— ) =—· ·