有源光器件和无源光器件.ppt

归一化输出功率 电流（mA） 上升/下降时间表明输出光脉冲是怎样随着电调制而改变的。如右下图。 上升/下降时间 电调制带宽BW是指当电功率衰减到0.707时的调制频率范围。在电子学中有其与上升时间关系式： BW=0.35/t1 LED调制带宽是在输出光功率下降到-3dB时的频带宽度。LED的频响受复合寿命τ的影响，其关系为： BW= Δω3dB=1/τ 调制带宽BW 即：增加LED的带宽是以输出功率为代价。 功率带宽积 复习题 3.1.1 当量子效率为1%，峰值波长是850nm时， LED发射出的功率为多少？ 谐振器间长度0.3mm,工作为1550 nm ，增益曲线的线宽等于9nm，则法不里-珀罗激光器能产生多少纵模？ 分布反馈激光器的工作原理是什么?DFB代表什么？这种激光器与其它激光器的区别是什么？ 你怎么确定激光器的域值电流？ 3.3 光电探测器 P-N光电二极管 PIN光电二极管 雪崩光电二极管 光通信用光电探测器： 3.3 光电探测器 P-N光电二极管 一个能量为Ep =hf =h?c/λ ≧Eg的光子射入光电二极管时，被吸收的光子能量被电子获得。于是，导带中的电子被激活，能够运动。光能→单位时间内的光子数目乘上单个光子的能量→转化为电流。 图3.3-1 p-n光电二极管的工作原理 a)能带图 b) p-n结 c)电路 输入输出特性： 输入光功率P，输出光电流I，射入光电二极管激活区的光子越多，产生的载流子越多，光电流越大。 I=RP （3.3-1） R是常量（响应度）。其关系如下图所示： 图3.3-2光电二极管的响应度 a)输入输出特性 b) 响应度和波长的关系 c)暗电流 例题： 光电二极管的响应度是0.85A/W，饱和输入光功率是1.5mW，当入射光功率是1mW和2mW时，光电流分别是多少？ I=RP=[ 0.85A/W] ×[1.5mW]= 0.85mA 当输入光功率是2mW时，公式I=RP不适用，因此我们无法得到光电流的值。 解：当输入光功率是1mW时，由I=RP，可得， PIN光电二极管（Photodiodes） 高线性,低暗电流 n + PIN光电二极管的结构如图3.3-5所示。其在P区和N区之间夹有一层厚的本征层。“本征” → “天然的”、“不掺杂的”。 P-I-N的完整意思：正极-本征-负极。实际上，本征区是轻掺杂的（N型），所以电子浓度很高，大大提高了光电转换效率。 PIN光电二极管是在反向偏压作用下使用的，一般为-5V左右。 当光入射到PIN结时，由于光激发产生的光生载流子—电子和空穴经过扩散和漂移，形成了通过PIN结的光电流。 图3.3-5 PIN光电二极管 光生载流子通过PIN结时间很短，这是因为虽然I层较厚，但它处于一个强的反向电场作用下，所以载流子以快的漂移速度通过I层。光生载流子通过两边P与N区时，是以比较慢的扩散速度前进的，但因P层和N层均较薄，这样总的来说就提高了PIN管的响应速度。 目前PIN光电二极管带宽以达110GHz。 雪崩光电二极管Avalanche photo diode (APD) 内置放大，不引入外部电路相关噪声。 增益提高x100，接收大于接收机电噪 声的光信号 是高速、高灵敏度的接收器 极大的温度倚赖性 主要性能 增益带宽积 暗电流 响应 Bias Voltage APD Gain 1、工作原理： 在光电二极管上加相对较高的反向电压（20V左右），该电压使光生电子和空穴加速并获得高能量。这些高能电子和空穴射入中性原子中，分离出其它电子和空穴。而二级载流子也获得足够能量去离化其它载流子，形成雪崩过程。这就意味着光电二极管在内部放大了光电流。（其量子效率10到100）产生二次载流子的过程称为冲击离化。 图3.3-6雪崩光电二极管（APD） 距离 简单归纳其工作原理为：高的反向偏置电压，碰撞电离，产生一次光生载流子、二次光生载流子 APD的平均雪崩增益G：是个复杂的随机过程 G是一个统计平均值 其结构如图3.3-6所示。光子穿过重掺杂的p+区，进入本征区，在这里产生电子空穴对。反向电压分离这些光生电子空穴，并将其移向pn+结，这里存在一个105V/cm的高电场，这个电场聚集载流子，并冲击导致离化。 探测器材料 Silicon (Si) 最便宜 Germanium (Ge) 常用 Indium gallium arsenide (InGaAs) 高速 Silicon Wavelength nm 500 1000 1500 Germanium InGaAs Quantum Efficiency = 1 0.1 0.