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cmos 与内存设置 - 电脑维修信息网 -百故电脑故障查询 2 来监视 RAS 周期，一旦超过 RAS 周期，则将周期 自动复位为 0。 Memory Relocation ：内存重新定位。即将 384 的上位内存（ Upper Memory Block ）数据转储到 1MB 以上的扩展内存中。 Memory Hole ：有人称作内存孔洞。把内存地址 15MB-16MB 的区域留给一些特殊的 ISA 扩展卡使用， 可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非 ISA 扩展卡有专门的说 明。 DRMA Timing Setting ：快页内存或 EDO 内存速度设置，通常是 60ns 或 70ns 选择，对 10ns 或更快的 SDRAM 内存无效。 Fast MA to RAS Delay ：设置内存地址（ Memory Address ）到内存行地址触发信号 （ RAS ）之间的延迟时间。 DRAM Write Brust Timing ： CPU 把数据写如高速缓存后， 再写如内存的延迟时间。 Fast RAS To CAS Delay ：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。 通常是 RAS# 下降到 CAS# 下降之间的时间。 DRAM Lead-Off Timing ： CPU 读 /写内存前的时间。 DRAM Speculative Read ：设置成允许时， 读内存的时间比正常时间提前一个时 间周期，可以提高系统性能。 DRAM Data Integrity Mode ：选择内存校验方式是 Parity 或 ECC 。 Refres RAS Assertion ：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内 存可以延迟刷新，从而提高系统性能。 RAS Recharge Period ：内存行地址信号预先充电所需要的 时间。 Fast EDO Pat Select ：设置选择对 EDO 内存读 /写的快速途径，可以提高 系统性能。 SDRAM RAS Latency ：设置 SDRAM 内存的行地址触发到 列地址触发的时间延迟。 SDRAM RAS Timing ：设置系统对 SDRAM 内存的行地址触 发时间，也即刷新时间。 Peer Concurrency ：为提高系统并行，使 CPU 对高速缓存 或内存或 PCI 设备，或 PCI 的主控信号对 PCI 外围设备等 等操作同时进行。 系统智能越高， 同 CPU 并行的操作越多， 性能提高越多。