HT-7托卡马克欧姆放电时的电子热输运分析.pptxVIP

HT-7托卡马克欧姆放电时的电子热输运分析;主 要 内 容;一、引言 （1）－研究热输运的意义;2、辐射损失对聚变的影响 辐射损失是电子能量平衡方程中一个重要组成部分。 杂质对主等离子体的影响主要有两方面： 第一，辐射能量并影响等离子体中参数的空间分布以及等离子体的总体能量约束时间，使约束等离子体很难达到收支平衡； 第二，使工作元素的离子密度稀释，从而影响聚变反应功率密度。 杂质辐射与约束模式的关系 杂质辐射与等离子体密度的关系 3、聚变实现的条件在聚变研究中，一个非常有意义三乘积：neTeτE。要想达到点火条件必须满足：; ;引言 （2）－研究热输运的方法;局部热输运的实验研究研究方法;?epb、?ehp比较 ;引言（3）－输运研究基础的发展;引言（4）－约束模式及实验研究情况;二、HT-7 托卡马克电子能量平衡分析;能量平衡分析所需的实验诊断;欧姆功率的计算;辐射损失 随等离子体中心弦平均密度、电流的变化; 一般认为，De=Dim, ve=vim。 我们用杂质输运程序拟合实验测量的杂质离子体发射系数。 ;热对流损失计算（2）－拟合结果;热对流损失计算（3）;电子各能量损失项占总欧姆输入功率比例;?e的分布及误差分析（1）;在同一炮放电的平顶段，?e值也比较平稳。;不同的离子温度分布对?e的分布影响不大。;硅化前后?e行为的比较;硼化前后?e行为的比较;; (?Ne(0) =1.0, Bt=1.84T);;?e与欧姆情况下的定标比较;;能量约束时间实验值与忽略辐射损失后由经验公式 估算值的比较。 （? ----为实验数据计算的的值，o----由 估算的值） ;;反常输运目前提出的主要原因及模型;;;硼化后?e与理论模型的比较;硅化后?e实验值与Waltz模型得到的值随密度、电流变化比较;三、HT－7 托卡马克等离子体中自举电流的研究;? 其它装置上自举电流的实验证实; a b a. JET装置上的测量电流与束驱动电流的比较。 b. 测量的电流与束驱动电流加自举电流后的比较。 ; 小逆环径比的ETE托卡马克装置上的自举电流占总电流的比例随?p值的变化 。随?p的增大，自举电流的比例增大。 ; ;HT-7装置硅化前后自举电流的研究;硅化前后两典型炮号等离子体压力分布;硅化前后两典型炮号的自举电流分布jbs; o------硅化前的情况 +-------硅化后的情况 ;硅化前后自举电流的研究情况;硼化前后自举电流的研究;;; o--------硼化前的情况，+----------硼化后的情况 。;硼化后自举电流的研究情况;四、总 结（1）－能量平衡分析 ;6. HT-7装置上?e值比INTOR定标值小，数值大小与Merezhkin定标和Coppi-Merezhin定标差不多，但比两个定标更依赖于密度。 7. 能量约束时间在所研究参数范围内随密度的增大而增大，与等离子体放电电流的关系不明显。 8. 在r0.5a区域内，?e值比较符合Horton电磁漂移波理论模型；在r0.5a区域内，硅化前符合Parail电磁漂移波模型，硅化后，符合Waltz 静电漂移波模型。硼化后在r0.8a区域内，均比较符合Horton模型。 ;自举电流分布形状来看：硅化和硼化后，等离子体参数分布在中心变宽，靠近边界的压力梯度变大，自举电流的分布峰值靠近边界。 自举电流分布占总电流分布来看：到边界，壁处理后比未做任何壁处理前自举电流成分大，即壁处理后，靠近边界，自举电流分布对等离子体电流分布贡献较大。 自举电流积分占总实验放电电流比例来看：壁处理后，HT－7装置上的自举电流占总放电电流的比例有增大的现象，壁处理前，不超过总电流的5％，但硼化和硅化后达到10％以上。由于边界处对应的半径大，从而对面积分的贡献大，即自举电流比例的增大主要是来自等离子体边界的贡献。;4. 自举电流成分与等离子体压强梯度关系密切，梯度越大，自举电流成分越大。 本论文是从实验数据的分析来研究自举电流的，确切的研究需要结合输运程序，才能给出完美、自洽的结论。但这些实验结论为以后更深入地研究HT－7、HT－7U装置自举电流提供了基础。 ;1、尽可能地扩大研究的实验参数范围； 2、研究辅助加热情况下的热输运； 3、开发输运程序，与实验研究相互补充，进一步对HT -7装置热输运进行分析、理解。 研究磁约束装置的热输运，是比较复杂而艰巨的任务，例如电子热扩散系数的定标，需要处理大量实验数据，且其它参数不变的情况下才能考察它与某一个参数的定量关系，但