电磁场课件第3章.pptx

第三章 静态电磁场及其边值问题的解李婷主要内容静电场分析恒定电场分析恒定磁场分析惟一性定理镜像法3.1 静电场分析静电场分析的基本变量一个源变量两个场变量电场强度电通密度（或电位移矢量）3.1.1 静电场的基本方程和边界条件1. 基本方程积分形式微分形式本构方程 ? 为分界面上自由电荷面密度，不包括极化电荷。 2. 边界条件 ? 的法向分量边界条件 (the normal component) 若边界面上不存在自由电荷，则 法向连续。 ? 的切向分量边界条件 (the tangential component) 在两种媒质分界面上， 切向连续。 3.1.2 电位函数电位：静电场中，单位正电荷自某点移至无限远处电场力所作的功，称为该点的电位。定义式：如果Q点是电位参考点，则电位是相对值。通常只要全部电荷都处在有限空间区域内，选取无限远作为参考点，可带来很大的方便。点电荷在真空中产生的电位电位的计算也满足叠加原理以无穷远为参考点时， n个点电荷产生的电位：体电荷，面电荷和线电荷分布形成的电位：1. 电场强度与电位的关系在球坐标系中电位与电场强度的关系利用 ，已知电荷求场强。如果高斯面找不出来，或高斯面不规则，矢量积分就很困难这时就可以用 求场强注意：如果已知φ求E，则E是唯一的如果已知E求φ，则φ不是唯一的。必须通过无穷远点的φ=0来确定唯一的φ。 无限长线电荷的电位 电位参考点不能位于无穷远点，否则表达式无意义。 根据表达式最简单原则，选取r =1柱面为电位参考面，即得：? 无限长线电流在空间中产生的电位2. 电位的微分方程高斯定理的微分形式电位与电场强度的关系真空中的泊松方程当 时，即场中无电荷分布，则真空中的拉普拉斯方程 ? 电位边界条件 (electric potential boundary condition) 在介质边界两边，电位分布同样遵照某种规律变化，这种变化规律即为电位的边界条件。 电位边界条件 电位的边界条件如果分界面上没有自由面电荷，则如果第二种媒质为导体，则yOaxb例：两块无限大接地导体平板分别置于x=0和x=a处，在两板之间的x=b处有一面电荷密度为ρS0的均匀电荷分布。求两导体平板之间的电位和电场。解：在两块无限大接地导体平板之间，除x=b处有均匀电荷分布外，其余空间无电荷分布，所以电位满足拉普拉斯方程方程的解为利用边界条件最后得3.1.3电容（capacity） 由物理学得知，平板电容器正极板上携带的电量 q 与极板间的电位差 U 的比值是一个常数，此常数称为平板电容器的电容，即电容为 电容的单位F（法拉）太大。例如半径大如地球的弧立导体的电容只有F。实际中，通常取 ?F （微法）及 pF （皮法）作为电容单位。1. 双导体的电容计算常用传输线，如平行板线、平行双导线、同轴电缆都是双导体系统通常，它们的纵向尺寸远大于横向尺寸因而，可作为平行平面电场（二维场）来研究，只需计算传输线单位长度的电容。计算步骤如下：根据导体的几何形状，选取适当的坐标系假定两导体上分别带电荷+q和-q根据假定的电荷求出E由 求得电位差求出比值C=q/Uab?那么内外导体之间的电位差 U 为 因此同轴线单位长度内的电容为 例 已知同轴线的内导体半径为 a，外导体的内半径为b，内外导体之间填充介质的介电常数为 ? 。试求单位长度内外导体之间的电容。 解 由于电场强度一定垂直于导体表面，因此，同轴线中电场强度方向一定沿径向方向。又因结构对称，可以应用高斯定律。 设内导体单位长度内的电量为q，围绕内导体作一个圆柱面作为高斯面S，则例：半径为a的带电导体球，已知球体电位为U（无穷远处电位为0），计算球内外空间的电位函数、电场强度以及导体球的电容。解：导体球是等势体。时：时： 球外空间的电位满足拉普拉斯方程，边界条件是r=a，φ=U；r→∞，φ=0。电位及其电场均具有对称性，建立球坐标系。2.部分电容 对于多导体之间的电容计算，需要引入部分电容概念。多导体系统中，每个导体的电位不仅与导体本身电荷有关，同时还与其他导体上的电荷有关，因为周围导体上电荷的存在必然影响周围空间静电场的分布，而多导体的电场是由它们共同产生的。所谓部分电容，是指多导体系统中，一个导体在其余导体的影响下，与另一个导体构成的电容。 部分电容若电容器由多个导体构成。则电容器之间、导体与地之间均存在电容 ?　单个导体上的电量 ?　N个导体存在，导体i上的电量与它和其它导体之间的电位差（包括大地）有关，即有式中：导体与地之间电容，称导体自电容导体之间的电容，称导体互电容说明：空间电荷分布为 ，在空间中产生电位为 。 ? 分布电荷总能量 ? 此公