4.4 位错的运动材料科学基础.pdfVIP

位错的运动  晶体的宏观变形是通过位错的运动实现的，位错可以在晶体中运动是位 错最重要的性质之一。  位错运动方式：滑移和攀移。 （1）滑移：位错线在滑移面的移动。 （2）攀移：位错线垂直于滑移面的移动。  刃位错的运动：可有滑移和攀移两种方式。  螺位错的运动：只作滑移、而不存在攀移。  位错滑移：位错的滑移是在外加切应力的作用下，通过位错中心 附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移(小于 一个原子间距)而逐步实现的。 刃型位错的滑移 （a）正刃型位错 （b）负刃型位错  刃型位错滑移导致晶体塑性变形的过程示意图。  位错扫过整个滑移面，滑移面两边晶体产生一个柏氏矢量（b ）的位移。  刃位错滑移面：由位错线与其柏氏矢量所构成平面。  刃位错移动方向：与位错线垂直，即与其柏氏矢量b 一致。 （a ） （b） （c ） （d ） （a ）原始状态的晶体（b）（c）位错滑移中间阶段（d）位错移出晶体表面，形成一个台阶 螺型位错滑移导致晶体塑性变形的过程 （a）原始状态的晶体；（b）（c）位错滑移中间阶段；（d）位错移出晶体表面， 形成一个台阶。  当位错线沿滑移面滑过整个晶体时，在晶体表面沿柏氏矢量产 生一个宽度为伯氏矢量的台阶。  位错的移动方向与位错线垂直，也与柏氏矢量垂直。  混合位错可分解为刃型和螺型两部分。  在切应力作用下，刃型和螺型部分沿各线段的法线 方向滑移，并同样使晶体产生与其柏氏矢量相等的 滑移量。  圆环形位错：位于滑移面上位错环，在切应力作用下，各段位错线分 别向外扩展，一直到达晶体边缘。正刃位错运动方向与负刃位错相反； 左、右旋螺型位错方向也相反。  各段位错移动方向虽然不同，但所造成晶体滑移却是由其柏氏矢量b 所决定的。位错环扩展结果使晶体沿滑移面产生了一个b 的滑移。 （a ）位错环 （b）位错环运动后产生的滑移 （1）刃型位错的移动方向：与外应力 及柏氏矢量b 平行。 （2）螺型位错的移动方向：与外应力 及柏氏矢量b 垂直，也与晶体滑移方向 相垂直，左、右螺位错滑移方向相反。 （3）混合位错滑移方向与外力 及柏氏矢量b 成一定角度（即沿位错线法线方向 滑移）。 （4）晶体的滑移方向与外力 及位错的柏氏矢量b 相一致，但并不一定与位错的 滑移方向相同。 （5）螺型位错能够交滑移：  螺位错因其位错线与柏氏矢量b 平行，故无确 定滑移面，通过位错线并包含b 的所有晶面 都可能成为它的滑移面。  若螺位错在某一滑移面滑移后受阻，可转移 到与之相交的另一个滑移面上去，此过程叫 交滑移。如果交滑移后的位错再转回和原滑 移面平行的滑移面上继续运动则称为双交滑 移。 （6 ）不论位错如何移动，晶体滑移总是沿柏氏矢量相对滑移，故晶体滑移 方 向就是位错的柏氏矢量 b 方向。  拇指 （沿b位移的那部分晶体） 中指  （位错线运动方向） 食指 （位错线方向）  位错的攀移：刃型位错的位错线在垂直滑移面方向上的运动。  攀移的实质：是多余半原子面的伸长或缩短。  常把多余半原子面向上移动称正攀移，向下移动称负攀移。  攀移伴随物质的迁移(非守恒) ，需要空位的扩散，需要热激活，比滑 移需更大能量。低温攀移较困难，高温时易攀移。  攀移通常会引起体积的变化。 （a ）正攀移 (b)未攀移 （c ）负攀移