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第4章 根轨迹分析
教学要求
本章介绍根轨迹的基本概念及其绘制方法,并分析系统参数变化对闭环极点位置的影响。要求熟练掌握根轨迹的绘制规则,并利用这些规则绘制系统的大致根轨迹。掌握0°根轨迹与参数根轨迹的概念及其绘制规则。掌握利用根轨迹分析系统性能的方法。
教学重点
⑴了解根轨迹的基本特性和相关概念;
⑵了解根轨迹的类型划分,熟练掌握根轨迹的分类原则;
⑶掌握根轨迹的绘制法则,并能够熟练地应用到根轨迹的绘制过程中;
⑷学会应用主导极点、偶极子等概念近似分析系统的性能。
教学难点
根轨迹的绘制,用根轨迹法分析系统的性能。
课时安排
本章安排理论讲授12课时,实验2课时。
教学大纲
一.根轨迹的基本概念
1.闭环零极点与开环零极点之间的关系
2.根轨迹与系统性能
3.根轨迹方程
二.根轨迹的绘制规则
1.180°根轨迹绘制的基本规则
2.0°根轨迹绘制的基本规则
3.参数根轨迹
4.非最小相位系统根轨迹
三.控制系统的根轨迹分析
1.性能指标在S平面上的表示
2.开环零、极点对根轨迹的影响
3.闭环零、极点分布与系统性能的关系
主要概念
1.根轨迹法
2.开环零极点
3.闭环零极点
4.模值方程
5.相角方程
6.180°根轨迹
7.0°根轨迹
8.根轨迹的方向、起点和终点
9.根轨迹的分支数
10.根轨迹的连续性和对称性
11.实轴上根轨迹的分布
12.根轨迹的渐近线
13.根轨迹的出射角和入射角
14.根轨迹的分离点和会合点
15.根轨迹与虚轴的交点
16.特征方程的根之和与根之积
17.参数根轨迹
18.非最小相位系统根轨迹
19.闭环主导极点
20.偶极子
实验 开环增益与零极点对系统性能的影响
一.实验目的
1.研究闭环、开环零极点对系统性能的影响;
2.研究开环增益对系统性能的影响。
二.实验内容
1.搭建原始系统模拟电路,观测系统响应波形,记录超调量Mp%、峰值时间tp和调节时间ts;
2.分别给原始系统在闭环和开环两种情况下加入不同零极点,观测加入后的系统响应波形,记录超调量Mp%和调节时间ts;
3.改变开环增益K,取值1,2,4,5,10,20等,观测系统在不同开环增益下的响应波形,记录超调量Mp%和调节时间ts。
三.实验步骤
在实验中观测实验结果时,可选用普通示波器,也可选用本实验台上的虚拟示波器。
如果选用虚拟示波器,只要运行ACES程序,选择菜单列表中的相应实验项目,再选择“开始实验”,就会打开虚拟示波器的界面,单击“开始”即可使用本实验台上的虚拟示波器CH1、CH2两个通道观察被测波形。具体用法参见用户手册中的示波器部分。
1.原始二阶系统
实验中所用到的功能区域:
阶跃信号、虚拟示波器、实验电路A1、实验电路A2、实验电路A3。
原始二阶系统模拟电路如图实4-1所示,系统开环传递函数为。
图实4-1
设置阶跃信号源:
⑴将阶跃信号区的选择开关拨至“0~5V”;
⑵将阶跃信号区的“0~5V”端子与实验电路A3的“IN32”端子相连接;
⑶按阶跃信号区的红色开关按钮就可以在“0~5V”端子产生阶跃信号。
搭建原始二阶系统模拟电路:
⑴将A3的“OUT3”与A1的“IN11”、“IN13”同时连接,将A1的“OUT1”与A2的“IN21”相连接,将A2的“OUT2”与A
⑵按图实4-1选择拨动开关。
图实4-1中,R1=200k,R2=200k,R3=200k,R4=100k,R5=64k,R6=200k,R7=10k,R8=10k,C1=1.0μF,C2=1.0μF。
将A3的S5、S6、S10,A1的S3、S6、S9,A2的S3、S8、S13拨至开的位置。
连接虚拟示波器:
将实验电路A2的“”与示波器通道CH1相连接。
输入阶跃信号,通过虚拟示波器观测原始二阶系统输出响应曲线,记录超调量MP%、峰值时间tp和调节时间ts。
2.闭环极点对原始二阶系统的影响
实验中所用到的功能区域:
阶跃信号、虚拟示波器、实验电路A1、实验电路A2、实验电路A3、实验电路A4、实验电路A5、实验电路A6。
给原始二阶系统加入闭环极点后的模拟电路如图实4-2所示。
图实4-2
设置阶跃信号源:
⑴将阶跃信号区的选择开关拨至“0~5V”;
⑵将阶跃信号区的“0~5V”端子与实验电路A3的“IN32”端子相连接;
⑶按阶跃信号区的红色开关按钮就可以在“0~5V”端子产生阶跃信号。
搭建加入闭环极点的二阶系统模拟电路:
⑴按照步骤1中的⑴、⑵搭建原始二阶系统;
⑵加入闭环极点环节。
模拟电路中的表示不同的极点环节,请分别将表实4-1中的极点环节加入到原始二阶系统中。
表实4-1
极点环节
极点传递函数
参数值
选择拨动开关
R9=200k
R10=200k
C3=5.0μF
将A4的S5、S14拨至开的位置
R9=5
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