4.7 位错的生成与增殖.pdfVIP

位错的生成与增殖  金属晶体中普遍存在着位错，位错的数量可用位错密度ρ表示 L  位错密度：单位体积晶体中所包含位错线的总长度。  V  也可用穿过单位面积晶面的位错线数目表示（简化处理）。 n l n  金属在不同状态下，位错密度差异很大。  S l S 6 8 -2  一般退火金属晶体中，≈10 ～10 cm 数量级；  经剧烈冷加工的金属中，≈1010～1012