CMOS反相器知识学习.pptVIP

2021/11/21 * 通孔2和钨塞2的形成 制造通孔2的主要步骤是:1、ILD—2间隙填充;2、ILD—2氧化物淀积；3、ILD—2氧化物平坦化；4、第十二层掩膜（ILD—2）。制作钨塞2的主要步骤是：1、金属淀积钛阻挡层（PVD）;2、淀积氮化钛（CVD）；3、淀积钨（CVD);4、磨抛钨。有两种常见的方法填充间隙：SOG反刻和高浓度 等离子体化学气相淀积（HDPCVD）.在亚0.25um工艺中更常用HDPCVD 金属2(M2)互连的形成 层间互连在剩下的金属叠加结构中不断地重复。制作金属2互连的主要步骤是:1、淀积、刻蚀金属2;2、填充ILD—3间隙；3、淀积、平坦化ILD—3氧化物；4、刻蚀通孔3,淀积钛/氮化钛淀积钨，平坦化。 2021/11/21 * 制作金属3直到制作点及合金 重复工艺制作M3和M4后,完成M4的刻蚀，淀积ILD—5，这层不需要CMP，刻蚀 ILD—5使得在M5淀积过程中通孔能被金属填充。M5的厚度较厚，刻蚀时在必要的地方 形成压焊点，在不需要的地方将金属除去。工艺的最后一步包括再次生长ILD—6以及随 后生长顶层氮化硅作为钝化层，如图所示。钝化的目的是保护产品免受潮气、划伤以及 沾污的影响。最后在扩散炉中进行低温合金步骤，这一步加热过程有助于提高互连金属 间的金属接触，从而提高器件的电学性能和可靠性。在这一步合金操作中必须