半导体基础知识资料.docVIP

Evaluation Only. Created with Aspose.PDF. Copyright 2002-2020 Aspose Pty Ltd. 1.1 半导体基础知识 纯净的具有金属结构的半导体称为本征半导体 晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称 为晶格。 本征半导体中有两种载流子 1、挣脱共价键束缚的自由电子 2、共价键中留下的空位置空穴 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成 晶体。 Evaluation Only. Created with Aspose.PDF. Copyright 2002-2020 Aspose Pty Ltd. 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4  在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。 本征半导体中电流由两部分组成： 自由电子移动产生的电流。 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 Evaluation Only. Created with Aspose.PDF. Copyright 2002-2020 Aspose Pty Ltd. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就 会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因 是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体： 自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 P 型半导体： 空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为 施主原子 。 Evaluation Only. Created with Aspose.PDF. Copyright 2002-2020 Aspose Pty Ltd. 多余 电子 磷原子  +4 +4 +5 +4  型半导体中的载流子是什么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为 多数载流子（多子），空穴称为 少数载流子 （少子）。 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键 空穴 时，产生一个空穴。这个 +4 空穴可能吸引束缚电子来 填补，使得硼原子成为不 能移动的带负电的离子。 +3 由于硼原子接受电子，所 硼原子 以称为 受主原子 。 型半导体中空穴是多子，电子是少子  +4 +4 。 Evaluation Only. Created with Aspose.PDF. Copyright 2002-2020 Aspose Pty Ltd. 杂质半导体的示意表示法 －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + P 型半导体 N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子 。 近似认为多子与杂质浓度相等。 1.1.3 PN 结 PN 结的形成： 在同一片半导体基片上，分别制造 P 型半导体和 N 型半导体，经过载流 子的扩散，在它们的交界面处就形成 了PN 结。 Evaluation Only. Created with Aspose.PDF. Copyright 2002-2020 Aspose Pty Ltd. 内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 漂移运动 P型半导体 N型半导体 内电场 E －－－－ － － + + + + + + －－－－ － － + + + + + + －－－－ － － + + + + + + －－－－ － － + + + + + + 空间电荷区， 扩散的结果是使空间 电荷区逐渐加宽，空 也称耗尽层。 扩散运动 间电荷区越宽。 电位 V V0 －－－－ － － + + + + + + －－－－ － － + + + + + + －－－－ － －