半导体材料和集成电路平面工艺基础.pptx

;References：(Materials);References：(Processing);主要教学内容： 第一篇(Overview Materials) 第一章： IC平面工艺及发展概述 第二章：半导体材料的基本性质 第三章：Si单晶的生长与加工 第四章：几种化合物半导体的材料生长与加工 小结: 材料 器件 工艺 ;;;;;;;第一章：IC平面工艺及发展概述 1、集成电路的基本单元（有源元件） 二极管： 按结构和工艺： 金/半接触二极管：肖特基二极管、（点接触二极管） 面结型二极管：合金结二极管、扩散结二极管、 生长结二极管、异质结二极管、等 按功能和机理： 振荡、放大类：耿氏二极管、雪崩二极管、变容二极管、等 信号控制类：混频二极管、开关二极管、隧道开关二极管、 检波二极管、稳压二极管、阶跃二极管、等 光电类：发光二极管(LED)（半导体激光器）、 光电二极管（探测器）;晶体管： 双极型晶体管：（NPN、PNP） 合金管、合金扩散管、台面管、外延台面管、 平面管、外延平面管等 场效应晶体管：（P沟、N沟；增强型、耗尽型） MOS场效应晶体管（MOSFET）、 结型场效应晶体管（JFET）、 肖特基势垒场效应晶体管（SBFET）;2、集成电路的分类： 按功能： 数字集成电路、模拟集成电路、微波集成电路、 射频集成电路、其它； 按工艺： 半导体集成电路（双极型、MOS型、BiCMOS）、 薄/厚膜集成电路、混合集成电路 按有源器件： 双极型、MOS型、BiCMOS、光电集成电路、 CCD集成电路、传感器/换能器集成电路 按集成规模： 小规模（SSI）、中规模（MSI）、 大规模（LSI）、超大规模（VLSI）、 甚大规模（ULSI）、巨大规模（GLSI）;;3、基本工艺流程举例 几种二极管的基本结构 合金 平面 生长（异质） 台面 Schottky 几种晶体管的基本结构 合金 生长（异质） 平面1 平面2 MOS;;;;电容： MOS PN Junction;;;DRAM;;3）IC的基本制造环节 晶片加工 外延生长 介质膜生长 图形加工 局域掺杂 金属合金 封装、测试;4、发展(历史和现状) 出现，IC、 LSI、 VLSI和ULSI，规律，特征尺寸，工业化方式和SoC趋势 MEMS、OEIC、MOMES “生物芯片” ;Kilby Texas Instrum. (TI) 1959 Feb. Ge mesa transistors Patent No. 3138743; ;沟道长度?m;?? ~ 15 inch;Chip;?=300mm MEMC Electronic Materials, ; ;38;Moore’s Low;Moore’s Low;World Semiconductor Trade System;器件（电路）设计;SoC—— System on Chip 芯片系统集成;1）、微电子机械系统（MEMS） 微电子技术与精密机械技术相结合，将微型传感器（力、热、光、电、磁、声）、微型执行器（如：机械）、信号处理与控制电路、接口电路、通信系统以及电源集成一体。 目前主要用硅材料和介质膜通过光刻技术实现;厚：20~30?m 直径：4mm 转速：200rpm;物理要点：振动的质量块电容极板在非惯性系统中受到科氏力的作用，质量块移动而引起电容的变化。;Lab on Chip;2）、光电子集成芯片 以微电子加工技术为基础，将激光器、光调制器、光开关等等光子器件通过光波导的互连而优化集成在一个芯片上，实现各种系统功能。 硅基材料、光学晶体、光学薄膜;激光多普勒速度仪（LiNbO3）;3）、DNA芯片* 基本思想是通过施加电场等措施，使一些特殊的物质能够反映出某种基因的特性。 制作高密度的特定的探针阵列性芯片——进行基因识别和分析 “生物成分分析芯片” ——LoS（Lab on System） ; 5、微电子技术的发展趋势 1）集成电路： 超大（单元数、芯片面积）——超微（关键尺寸） 多功能、高性能（快速、低功耗、抗干扰）、 SoC（System on Chip） 低成本 高可靠性 2）工艺技术： 大直径材料（8”、12”、15”、。。。） 光刻极限 →、90nm→40nm、25nm→?） 新结构器件（应变硅、纳电子技术、高k