半导体物理学半导体中的杂质和缺陷.pptxVIP

理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。;实际半导体;主要内容;§2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级 1、杂质与杂质能级杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。;在金刚石型晶体中，晶胞中原子的体积百分数为34%，说明还有66%是空隙。Si 中的杂质有两种存在方式， a：间隙式杂质 特点：杂质原子一般较小，锂元素 b：替位式杂质 特点：杂质原子的大小与被替代的晶格原子大小可以相比，价电子壳层结构比较相近，Ⅲ和Ⅴ族元素在Si，Ge中都是替位式;B:替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近;N型半导体;杂质能级位于禁带中;;(1)VA族的替位杂质——施主杂质; （a）电离态 （b）中性施主态;过程： 1.形成共价键后存在正电中心P+； 2.多余的一个电子挣脱束缚，在晶格中自由动；杂质电离 3. P+成为不能移动的正电中心；;电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是掺施主的意义所在。;电离时，P原子能够提供导电电子并形成正电中心，——施主杂质。;;;定义：;3、受主能级：举例：Si中掺硼B; 在Si单晶中，Ⅲ族受主替位杂质两种电荷状态的价键（a）电离态 （b）中性受主态;价带空穴 电离受主 B-;电离的结果：价带中的空穴数增加了，这即是掺受主的意义所在;在Si中掺入B;;;定义：;施主和受主浓度：ND、NA;;N型半导体 特征：;P型半导体价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴。空穴为多子，电子为少子。;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半导体 ;施主向导带提供的载流子 =1016～1017/cm3 》 本征载流子浓度;上述杂质的特点：;4. 浅能级杂质电离能的简单计算;玻尔原子电子的运动轨道半径为：;类???模型 氢原子中电子能量 n=1,2,3……，为主量子数，当n=1和无穷时;氢原子基态电子的电离能 考虑到正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的介质中，且处于晶格形成的周期性势场中运动，所以电子的惯性质量要用有效质量代替;类氢模型：计算束缚电子或空穴运动轨道半径及电离能;施主杂质电离能 受主杂质电离能 ;对于Si中的P原子，剩余电子的运动半径约为24.4 ?：;施主能级靠近导带底部;对于Si、Ge掺B;;;(3) ND≈NA;杂质的补偿作用;6. 深杂质能级;;深能级杂质;例1：Au（Ⅰ族）在Ge中;在Ge中掺Au 可产生3个受主能级，1个施主能级;1. Au失去一个电子—施主;;3.Au获得第二个电子;4.Au获得第三个电子;深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。;;§2-2 化合物半导体中的杂质能级 ;;●等电子杂质 ;●束缚激子 ;●两性杂质;§2.3氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级;点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界;2.元素半导体中的缺陷;(2) 填隙;;4.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的缺陷;a.负离子空位;b.正离子填隙;产生负电中心，起受主作用;产生负电中心，起受主作用;负离子空位;第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 1.什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。 3.什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出p型半导体。 4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 5.两性杂质和其它杂质有何异同？ 6.深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 7.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？;1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P，P为Ⅴ族元素。 本征半导体Si