CVD工艺原理及设备介绍.pptVIP

Copyright BOE Technology Group 一、PECVD在ARRAY中担当的角色 ARRAY工艺构成 二、PECVD根本原理及功能 1. CVD的介绍 一种利用化学反响方式,将反响物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片外表的薄膜沉积技术. 如可生成: 导体: W(钨)等; 半导体:Poly-Si(多晶硅), 非晶硅等; 绝缘体(介电材质): SiO2, Si3N4等. 2.PECVD的介绍 为了使化学反响能在较低的温度下进展，利用了等离子体的活性来促进反响，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). PECVD根本原理及功能 3. PECVD制膜的优点及本卷须知 优点： ● 均匀性和重复性好，可大面积成膜； ● 可在较低温度下成膜； ● 台阶覆盖优良； ● 薄膜成分和厚度易于控制； ● 适用范围广，设备简单，易于产业化 本卷须知： ● 要求有较高的本底真空； ● 防止穿插污染； ● 原料气体具有腐蚀性、可燃性、爆炸性、易燃 性和毒性，应采取必要的防护措施。 PECVD根本原理及功能 RF Power :提供能量 真空度(与压力相关) 气体的种类和混合比 温度 Plasma的密度(通过Spacing来调节) 4. PE