第一章 电力母电子器件1.pptVIP

* 1.3.4 晶闸管的派生器件(自学） 1.快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（Solid State Relay——SSR）和交流电机调速等领域应用较多 3.逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管,功率更大场合， 3.5kA / 8kV ，装置最高达300MVA，容量最大 ■ * 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管（自学） 1.4.2 电力晶体管（自学） 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 * 1.4 典型全控型器件 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 1. 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过 ■ 绝缘栅 反型层P---N 漏极 源极 栅极 * 1.4.3 电力场效应晶体管 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 ■ * 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样 以半导体PN结为基础 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装 图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 * N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 图1-3 PN结的形成 扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。 空间电荷建立的电场被称为内电场或自建电场，其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为多子）向本区运动，即漂移运动。 交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 * PN结的正向导通状态 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性。 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。 PN结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。 PN结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD 。 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 * 势垒电容只在外加电压变化时才起作用。外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大